[发明专利]外延基片处理方法无效
| 申请号： | 200910209355.0 | 申请日： | 2009-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN102054665A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 张元;孟庆丽 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/302;H01L21/31;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延 处理 方法 | ||
1.一种外延片处理方法，其特征在于，包括：
提供外延片，所述外延片包括上表面和下表面，所述外延片的下表面形成有晶点；
在所述外延片的上表面形成保护层；
去除所述外延片下表面的晶点；
去除所述保护层。
2.如权利要求1所述的外延片处理方法，其特征在于，所述外延片为采用HCl工艺在底面带有氧化层的半导体衬底的部分表面增加一外延层而形成的。
3.如权利要求2所述的外延片处理方法，其特征在于，所述晶点是在外延片进行HCl工艺时产生的。
4.如权利要求1所述的外延片处理方法，其特征在于，所述保护层是单一覆层结构或者是两层或者两层以上堆叠结构。
5.如权利要求4所述的外延片处理方法，其特征在于，所述保护层为形成在所述外延片的上表面的单一光刻胶层。
6.如权利要求4所述的外延片处理方法，其特征在于，所述保护层结构包括形成在所述外延片的上表面的氧化层和形成在氧化层表面的光刻胶层。
7.如权利要求1所述的外延片处理方法，其特征在于，所述保护层厚度为500纳米至5微米。
8.如权利要求1所述的外延片处理方法，其特征在于，去除所述晶点的具体工艺为：将所述形成有保护层的外延片放置于一平台表面，所述外延片的下表面朝上，采用刀片沿顺时针方向刮除晶点。
9.如权利要求1所述的外延片处理方法，其特征在于，去除所述晶点的具体工艺为：将所述形成有保护层的外延片放置于一平台表面，所述外延片的下表面朝上，采用研磨设备去除晶点。
10.如权利要求1所述的外延片处理方法，其特征在于，去除保护层的具体工艺为：腔体压力为50毫托至100毫托，射频功率为300瓦至500瓦，O2流量为每分钟50标准立方厘米至每分钟250标准立方厘米，N2流量为每分钟20标准立方厘米至每分钟40标准立方厘米，CO流量为每分钟50标准立方厘米至每分钟90标准立方厘米。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司，未经无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910209355.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于就地医疗应用的手持式气体分析系统
- 下一篇：电路连接材料的使用方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
