[发明专利]限制电流的方法及其应用电路

说明书

技术领域

本发明一般涉及半导体部件，且更具体地涉及限制半导体部件里 的电流。

背景技术

半导体部件用于便携应用中，例如移动电话、便携计算机、计算 器、照相机、个人数字助理(PDA)、电视游戏控制器等，以及非便 携应用中，例如大型计算机、测试装备、汽车应用、制造设施等。在 这些应用中，期望半导体部件具有小的形体尺寸，同时最优化它们的 性能、功能性和成本。用在这些应用中的半导体部件的一个重要种类 是电流限制电路。这些电路在过电流条件期间保护半导体部件。在半 导体部件里包括电流限制电路的缺点是，它们使用半导体部件的输入 /输出引脚中的一个，这增加了半导体部件的尺寸和成本，同时降低了 它们的性能和功能性。

因此，具有这样一种半导体部件，其包括用于限制半导体部件里 的电流而不增加输入/输出引脚数量的方法和结构，则是有利的。半导 体部件制造起来具有成本效益，则是进一步有利的。

附图说明

结合附图图形，阅读以下详细描述，将更好理解本发明，其中同 样的参考数字指代同样的元件，以及其中：

图1是依照本发明的实施方式的电流限制电路的电路示意图；以 及

图2是依照本发明的实施方式用于限制电流的流程图。

具体实施方式

一般地，本发明提供包括用于限制电流的方法和结构的半导体部 件。依照本发明的实施方式，一集成电路包括电流控制电路，该电流 控制电路包括：集成比较器和控制部分，其具有通过控制电阻器耦合 到高压侧(high side)N-沟道场效应晶体管的源极并耦合到该高压侧 N-沟道场效应晶体管的栅极的输入/输出引脚。该集成比较器和控制部 分的另一输出通过另一控制电阻器连接到低压侧N-沟道场效应晶体 管的源极并连接到该低压侧N-沟道场效应晶体管的栅极。高压侧N- 沟道场效应晶体管和低压侧N-沟道场效应晶体管以及控制电阻器可 与集成比较器和控制部分集成，或它们可以是耦合到该集成比较器和 控制部分的分立的电路元件。虽然场效应晶体管已经显示并描述为 N-沟道场效应晶体管，但这不是对本发明的限制。例如，晶体管可以 是P-沟道场效应晶体管，NPN双极结型晶体管、PNP双极结型晶体 管或之类的。应注意，场效应晶体管的栅极被称为控制电极，而场效 应晶体管的源极和漏极被称为载流电极或导流电极。类似地，双极结 型晶体管的基极被称为控制电极，而其集电极和发射极被称为载流电 极或导流电极。

依照本发明的另一实施方式，提供了不增加输入/输出引脚数量 限制电流的方法，也就是，不增加半导体部件的输入/输出引脚数限制 电流的方法。将两个输入/输出引脚之间的漏极-源极电压与两个输入/ 输出引脚之间的参考电压比较，其中，参考电压和漏极-源极电压共享 一个输入/输出引脚。依照比较的结果设置一控制电压，该控制电压控 制输入/输出引脚中参考电压和漏极-源极电压不公有的引脚上的电 压。