[发明专利]用于制造密封容器的方法

说明书

技术领域

本发明涉及用于制造密封容器的方法，特别是涉及用于制造其中包含电子发射元件的真空密封容器的方法。

背景技术

包括冷阴极电子源和用作图像形成构件的能够阴极发光的荧光体的所谓场发射显示器(FED)是已知的。可应用于FED的真空密封容器需要保持持久的高真空度，从而长时间保持电子发射功能。为了保持真空密封容器内的真空度，容器必须是气密的。因此，需要用于制造具有高真空密封性的密封容器的方法。

在日本专利公开No.7-94102(对应于欧洲专利公开No.0609815)中所描述的使用烧结玻璃的方法已知作为用于制造高密封容器的方法的一个例子。使用烧结玻璃将具有电子发射元件的电子源基板、具有荧光体的前基板和框架构件彼此连接，并且烧制烧结玻璃以形成密封容器。随后，经由连接到密封容器的排气管将容器抽成真空。最后，切断排气管，使容器封闭。通过这种方式，完成了真空密封容器的制造。

然而，在日本专利公开No.7-94102中描述的方法要求容器的温度在烧制烧结玻璃期间上升至烧结玻璃的软化和熔化温度。这导致诸如显著的升华、氧化和在电子源基板上的电子源减少等效应，从而导致电子发射元件特性的改变。

为了缓解由加热导致的效应，已知其中将密封容器在其整个制造过程中放置在真空环境中的方法，如在日本专利公开No.2001-229828(对应于欧洲专利公开No.1126496)中所描述的。在这种情况下，诸如电子发射元件上的氧化效应可以通过使用具有低熔点的金属作为连接金属而得到抑制。然而，当需要高分辨率和大平板显示器时，在高温真空中的焊接处理和排空处理周期期间存在诸如对准精度的问题。

为了解决这些问题，日本专利公开No.2000-149783描述了一种使用通过扫描高密度能量束的局部加热的密封和焊接方法。这种方法包括在常温常压和局部加热的环境中进行对准。因此，电子发射元件的热效应被最小化，并且同时可以以低成本制造高密封性和高精度对准的容器。美国专利No.6722937和日本专利公开No.2000-313630(对应于欧洲专利公开No.0978489)也描述了使用发射高密度能量束的连接方法。

当连接构件被扫描激光束软化和熔化时，还需要增加扫描速度，以便制造大尺寸或低成本的显示器。在这种情况下，需要增加每单位时间激光束的能量密度。然而，某些激光被反射，并且没有被直接用于加热连接构件。此外，被反射的光束变为可能对其它构件施加热效应的杂散光束。特别地，当使用金属作为连接构件以获得更加精细的连接界面时，由于高反射率，可能会增强激光连接过程期间杂散光束的热效应。当把密封容器应用于FED等时，考虑到发射特性，在FED阵列内的电子发射元件的发射部分的表面形状和组分不是优选的。

发明内容

本发明涉及能够抑制杂散激光束对电子发射部分的影响的密封容器制造方法。

根据按照本发明的一个方面的用于制造密封容器的方法，制造包括第一基板、面向第一基板的透光的第二基板、以及介于第一基板和第二基板之间的框架构件的密封容器，在第一基板的第一表面上具有电子发射元件，所述第一基板、第二基板和框架构件形成内部空间，所述电子发射元件位于该内部空间内。该方法包括：提供具有第一基板和框架构件的组件，所述框架构件被安装在第一基板的第一表面上，位于形成电子发射元件的区域之外；通过经由连接构件使第二基板与框架构件相接触，形成具有上述组件和第二基板的临时组件；通过使用透过临时组件中的第二基板传输的激光束照射连接构件，使连接构件熔化；并使熔化的连接构件固化。将激光束施加到连接构件上，使得在使连接构件熔化期间，当激光束相对于临时组件移动时，在连接构件上的照射位置处的激光束的入射方向不包含朝向框架构件内部的分量。

参考所附的附图，本发明的其它特征将由以下示例性的实施例变得更为清楚。

附图说明

图1A和1B是示出根据本发明的第一示例性实施例的用于制造密封容器的方法的概念视图。

图2是示出根据本发明的第一示例性实施例的用于制造密封容器的方法的流程图。

图3是示出可应用于本发明的密封容器的示例电子发射元件的横截面视图。

图4A和4B是示出可应用于本发明的密封容器的示例电子发射元件的横截面视图。

图5是示出要由本发明解决的第一个问题的横截面视图。

图6A和6B是示出要由本发明解决的第二个问题的横截面视图。

图7A和7B是示出根据本发明的第二示例性实施例的用于制造密封容器的方法的概念视图。

图8是示出根据本发明的第二示例性实施例的用于制造密封容器的方法的流程图。