[发明专利]形成图像传感器的微透镜的方法和制造图像传感器的方法无效
申请号: | 200910208724.4 | 申请日: | 2009-11-05 |
公开(公告)号: | CN101738853A | 公开(公告)日: | 2010-06-16 |
发明(设计)人: | 金明洙 | 申请(专利权)人: | 东部高科股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/00 | 分类号: | G03F7/00;H01L27/146;H01L21/82 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 朱胜;王萍 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 形成 图像传感器 透镜 方法 制造 | ||
1.一种用于形成图像传感器的微透镜的方法,包括:
在用于所述图像传感器的衬底上涂覆用于形成微透镜的光致抗蚀剂;
允许激光以水平方向入射到所述光致抗蚀剂的内部,所述激光影响所述光致抗蚀剂的位于所述激光的振幅范围中的部分;以及
通过固化具有所述受激光影响的部分的光致抗蚀剂来形成微透镜。
2.根据权利要求1所述的用于形成图像传感器的微透镜的方法,其中,允许激光入射到所述光致抗蚀剂的内部包括允许在所述光致抗蚀剂中形成所述激光的驻波。
3.根据权利要求1所述的用于形成图像传感器的微透镜的方法,其中,所述微透镜形成为所述激光的一半半径尺寸。
4.一种用于制造图像传感器的方法,包括:
在上面形成有多个光电二极管的半导体衬底上形成层间电介质层;
在所述层间电介质层上方形成滤色器层;
在所述滤色器层上涂覆光致抗蚀剂;
允许具有第一相位的第一光水平地入射到所述光致抗蚀剂的内部穿越所述光致抗蚀剂;
允许第二光水平地入射到所述光致抗蚀剂穿越所述光致抗蚀剂,所述第二光具有与所述第一光相同的波长但具有与所述第一相位相反的第二相位;以及
基于暴露于所述第一光和所述第二光的所述光致抗蚀剂的区域形成微透镜。
5.根据权利要求4所述的用于制造图像传感器的方法,其中,所述第二光是从面对所述光致抗蚀剂的外侧表面的反射表面反射的所述第一光。
6.根据权利要求4所述的用于制造图像传感器的方法,其中,所述微透镜的水平长度是所述第一光或所述第二光的一半半径尺寸。
7.一种用于制造图像传感器的方法,包括:
在图像传感器的衬底上形成用于形成微透镜的材料层;以及
通过使光入射到所述材料层的第一侧表面,并使光入射到所述材料层的与所述材料层的所述第一侧表面相对的第二侧表面,来对所述材料层进行图案化处理,其中,所述光水平地穿过在所述第一侧表面和所述第二侧表面之间的材料层。
8.根据权利要求7所述的用于制造图像传感器的方法,其中,使光入射到所述材料层的所述第二侧表面包括:提供反射表面以提供具有与入射到所述材料层的所述第一侧表面的光相反相位的光,从而在所述材料层中形成驻波。
9.根据权利要求8所述的用于制造图像传感器的方法,其中,提供所述反射表面包括:提供与所述材料层的所述第二侧表面接触的反射镜,从而允许在所述反射镜的反射表面上反射入射到所述第一侧表面的光。
10.根据权利要求8所述的用于制造图像传感器的方法,还包括:根据所述微透镜的所需尺寸来选择所述光的波长和幅度,所选择的光的波长确定了所述微透镜的直径。
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