[发明专利]开关管驱动信号调节方法和装置、开关电源

权利要求书

1.一种开关管驱动信号调节方法，其特征在于，包括以下步骤：

a.对流经开关管的电流进行采样；

b.根据采样值对所述开关管的驱动信号电平进行相应的调整。

2.如权利要求1所述的调节方法，其特征在于，所述开关管为MOSFET，所述步骤a中，采样所述MOSFET的源极或漏极电流，所述步骤b中，当所述MOSFET的源极或漏极电流增大时，提高所述MOSFET的栅极驱动电压；当所述MOSFET的源极或漏极电流减小时，降低所述MOSFET的栅极驱动电压。

3.如权利要求1所述的调节方法，其特征在于，所述开关管为IGBT，所述步骤a中，采样所述IGBT的集电极或发射极电流，所述步骤b中，当所述IGBT的集电极或发射极电流增大时，提高所述IGBT的栅极驱动电压；当所述IGBT的集电极电流或发射极减小时，降低所述IGBT的栅极驱动电压。

4.如权利要求1所述的调节方法，其特征在于，所述开关管为三极管，所述步骤a中，采样所述三极管的集电极或发射极电流，所述步骤b中，当所述三极管的集电极或发射极电流增大时，提高所述三极管的基极驱动电流；当所述三极管的集电极或发射极电流减小时，降低所述三极管的基极驱动电流。

5.一种开关管驱动信号调节装置，其特征在于，包括：

电流采样单元，用于对流经开关管的电流进行采样；和

驱动调整单元，用于根据采样值对所述开关管的驱动信号电平进行相应的调整。

6.如权利要求5所述的调节装置，其特征在于，所述开关管为MOSFET，所述电流采样单元采样所述MOSFET的源极或漏极电流，所述驱动调整单元在所述MOSFET的源极或漏极电流增大时提高所述MOSFET的栅极驱动电压，在所述MOSFET的源极或漏极电流减小时降低所述MOSFET的栅极驱动电压。

7.如权利要求5所述的调节装置，其特征在于，所述开关管为IGBT，所述电流采样单元采样所述IGBT的集电极或发射极电流，所述驱动调整单元在所述IGBT的集电极或发射极电流增大时提高所述IGBT的栅极驱动电压，在所述IGBT的集电极或发射极电流减小时降低所述IGBT的栅极驱动电压。

8.如权利要求6或7所述的调节装置，其特征在于，所述驱动调整单元包括压控电压源和驱动电路，所述压控电压源用于根据来自电流采样单元的电流信号产生相应的电压信号，所述驱动电路用于根据所述电压信号调整所述栅极驱动电压。

9.如权利要求5所述的调节装置，其特征在于，所述开关管为三极管，所述电流采样单元采样所述三极管的集电极或发射极电流，所述驱动调整单元在所述三极管的集电极或发射极电流增大时提高所述三极管的基极驱动电流，在所述三极管的集电极或发射极电流减小时降低所述三极管的基极驱动电流。

10.如权利要求9所述的调节装置，其特征在于，所述驱动调整单元包括压控电压源和驱动电路，所述压控电压源用于根据来自电流采样单元的电流信号产生相应的电压信号，所述驱动电路用于根据所述电压信号调整所述基极驱动电流。

11.一种开关电源，其特征在于，包括开关管驱动信号调节装置，其包括：电流采样单元，用于对流经开关管的电流进行采样；和驱动调整单元，用于根据采样值对所述开关管的驱动信号电平进行相应的调整。