[发明专利]制造图像传感器的方法

权利要求书

1.一种方法，包括如下步骤：

在半导体衬底上方形成包括金属线的层间电介质；

在所述层间电介质上方形成包括第一掺杂层和第二掺杂层的图像感测部；

在所述图像感测部上方形成硬掩模，该硬掩模包括对应于所述金属线的开口；

使用所述硬掩模作为蚀刻掩模执行蚀刻工艺，以形成暴露所述图像感测部内部的辅助通孔，其中当形成所述辅助通孔时，在包括蚀刻副产品的所述辅助通孔内形成间隔件；

执行包括化学制品的蚀刻工艺以实质上移除所述间隔件；以及

蚀刻布置在所述辅助通孔的下部的所述图像感测部以及所述层间电介质，以形成暴露所述金属线的至少一部分的深通孔。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述辅助通孔和所述深通孔中的至少一个包括反应离子蚀刻工艺。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻副产品被累积以形成所述间隔件。

4.根据权利要求1所述的方法，其中实质上移除所述间隔件包括湿蚀刻工艺，所述湿蚀刻工艺包括稀释氟化氢和缓冲氟化氢化学制品中的至少一种；

其中实质上移除所述间隔件包括在大约50秒至300秒之间使用浓度比在大约100∶1至200∶1之间的去离子水和稀释氟化氢的混合物。

5.根据权利要求1所述的方法，包括执行清洁工艺以实质上移除粒子，包括在移除所述间隔件之后使用兆频超声波振动具有所述辅助通孔的所述图像感测部。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述硬掩模包括三重结构，该三重结构包括氧化物层和氮化物层中的至少一种；

其中所述硬掩模的所述开口包括大约0.4μm至0.7μm之间的直径，并且所述深通孔包括与所述开口实质上相同的直径。

7.根据权利要求1所述的方法，包括在所述深通孔内形成接触插塞；

其中所述接触插塞接触所述第一掺杂层并且与所述第二掺杂层隔开。

8.一种装置，包括：

位于半导体衬底上方的包括金属线的层间电介质；

位于所述层间电介质上方的包括第一掺杂层和第二掺杂层的图像感测部；

位于所述图像感测部上方的硬掩模，该硬掩模包括对应于所述金属线的开口；

辅助通孔，暴露所述图像感测部的内部，包括含有蚀刻副产品的间隔件，其中当形成所述辅助通孔时形成所述间隔件，所述间隔件被配置为通过包括化学制品的蚀刻工艺而实质上被移除；以及

深通孔，当所述间隔件被实质上移除时，该深通孔暴露所述金属线的至少一部分；

其中所述蚀刻副产品被累积以形成所述间隔件；

其中所述间隔件被配置为包括利用湿蚀刻工艺而实质上被移除，所述湿蚀刻工艺包括稀释氟化氢和缓冲氟化氢化学制品中的至少一种。

9.根据权利要求8所述的装置，其中所述深通孔包括与所述硬掩模的开口实质上相同的直径；

其中所述深通孔包括大约0.4μm至0.7μm之间的直径。

10.根据权利要求8所述的装置，其中所述深通孔包括小于大约0.7μm的直径，并且形成在厚度为大约1.75μm的像素中。