[发明专利]荧光体及其制造方法及使用了该荧光体的发光元件有效
| 申请号： | 200910208340.2 | 申请日： | 2006-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN101712869A | 公开（公告）日： | 2010-05-26 |
| 发明（设计）人： | 江本秀幸;伊吹山正浩;野村謙二 | 申请（专利权）人： | 电气化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C09K11/80 | 分类号： | C09K11/80 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 冯雅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 荧光 及其 制造 方法 使用 发光 元件 | ||
【权利要求书】：
1.荧光体的制造方法，它是由通式：CaX(M2)Y(Si)12-(m+n)(Al)m+n(O)n(N)16-n表示的α型塞隆形成的荧光体的制造方法，式中，M2为Eu，0.3≤X+Y≤1.5， 0＜Y≤0.7，0.6≤m≤3.0，0≤n≤1.5，X+Y＝m/2；其特征在于，作为Ca的原 料，使用不含氧的钙化合物。
2.如权利要求1所述的荧光体的制造方法，其特征在于，作为Ca的原料， 并用不含氧的钙化合物和含氧的钙化合物。
3.如权利要求2所述的荧光体的制造方法，其特征在于，使用相对于含 氧的钙化合物以摩尔比计在0.5倍以上的不含氧的钙化合物。
4.如权利要求1或2所述的荧光体的制造方法，其特征在于，所有原料 中的氧含量在4质量％以下。
5.如权利要求1或2所述的荧光体的制造方法，其特征在于，利用权利 要求1或2所述的方法制造荧光体后，再对前述荧光体进行酸处理。
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