[发明专利]MOS器件掺杂缺陷的检测方法

权利要求书

1.一种MOS器件掺杂缺陷的检测方法，其特征在于，包括步骤：

预先建立缺陷模型库，所述缺陷模型库包括掺杂区域缺失的MOS器件以及其对应的扫描电子显微镜测试图，即缺陷模型图，所述缺陷模型图包括半导体器件上的金属插塞所对应的图形；

提供待检测MOS器件，所述待检测MOS器件包括位于半导体器件上与半导体器件连通的金属插塞；

利用扫描电子显微镜对所述MOS器件表面进行测试得到测试图，所述测试图包括金属插塞对应的图形；

利用所述测试图和所述缺陷模型图比对，当所述测试图中金属插塞对应的图形和所述缺陷模型图中金属插塞对应的图形亮度越接近，则所述待检测MOS器件存在掺杂缺陷的区域和该缺陷模型图对应的MOS器件缺失的掺杂区域越接近。

2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述金属插塞包括位于源极/漏极上与源极/漏极连通的第一金属插塞，位于栅极上与栅极连通的第二金属插塞；

所述利用所述测试图和所述缺陷模型图比对的步骤包括比较所述测试图中第一金属插塞对应的图形和所述缺陷模型图中源极/漏极上的第一金属插塞对应的图形；比较所述测试图中第二金属插塞对应的图形和所述缺陷模型图中栅极上的第二金属插塞对应的图形。

3.根据权利要求2所述的检测方法，其特征在于，所述建立缺陷模型库的步骤包括：

提供所述存在掺杂缺失的MOS器件，所述掺杂缺失的MOS器件包括位于源极/漏极上与源极/漏极连通的第一金属插塞，位于栅极上与栅极连通的第二金属插塞；

利用扫描电子显微镜对所述源极/漏极上的第一金属插塞和栅极上的第二金属插塞进行测试，得到所述缺陷模型图。

4.根据权利要求2所述的检测方法，其特征在于，还包括步骤：

提供存在掺杂缺失的MOS器件和不存在掺杂缺失的MOS器件；

将所述待检测MOS器件的栅极、所述存在掺杂缺失的MOS器件的栅极和所述不存在掺杂缺失的MOS器件的栅极相连，并且连接到第一金属层；

将所述待检测MOS器件的源极、所述存在掺杂缺失的MOS器件的源极和所述不存在掺杂缺失的MOS器件的源极相连，并且连接到第二金属层；

将所述待检测MOS器件的的漏极、所述存在掺杂缺失的MOS器件的漏极和所述不存在掺杂缺失的MOS器件的漏极相连，并且连接到第三金属层；

向第一金属层、第二金属层、第三金属层施加电压，并测试所述待检测MOS器件、所述存在掺杂缺失的MOS器件和所述不存在掺杂缺失的MOS器件的电学特性曲线；

利用所述待检测MOS器件的电学特性曲线与所述存在掺杂缺失的MOS器件和所述不存在掺杂缺失的MOS器件的电学特性曲线进行比对，从而得到所述待检测MOS器件的存在掺杂缺陷的区域。

5.根据权利要求4所述的检测方法，其特征在于，将所述待检测MOS器件的衬底、所述存在掺杂缺失的MOS器件的衬底和所述不存在掺杂缺失的MOS器件的衬底相连，并且连接到第四金属层，所述第四金属层接地。

6.根据权利要求1或4所述的检测方法，其特征在于，所述存在掺杂缺失的MOS器件包括深阱区缺失的MOS器件、沟道掺杂区缺失的MOS器件、源/漏轻掺杂区缺失的MOS器件、源/漏重掺杂区缺失的MOS器件以及口袋区缺失的MOS器件。

7.根据权利要求4所述的检测方法，其特征在于，所述不存在掺杂缺失的MOS器件包括深阱区、沟道掺杂区、源/漏轻掺杂区、源/漏重掺杂区以及口袋区。

8.根据权利要求4所述的检测方法，其特征在于，所述电学特性曲线包括Vg-Id-Vd曲线、Vg-Ig-Vd曲线、Vg-Is-Vs曲线或Vg-Ig-Vs曲线。

9.根据权利要求8所述的检测方法，其特征在于，所述Vg-Id-Vd曲线的测量方法包括：Vg变化，测量Id-Vd或者固定Vd，测量Id-Vg。