[发明专利]偏光发光二极管组件及其制造方法

权利要求书

1.一种偏光发光二极管组件，其特征在于，包含：

一基座；

一发光二极管芯片，设置于该基座上，该发光二极管芯片具有一第一出光面，该发光二极管芯片可发出光线由该第一出光面输出；

至少一偏光波导结构，由一偏光层、一反射层以及一转换层构成，该偏光波导结构设置于该发光二极管芯片的光输出路径上；以及

一封装材料，用以将该偏光波导结构、该发光二极管芯片与该基座封装为一体。

2.如权利要求1所述的偏光发光二极管组件，其特征在于，所述的偏光层具有偏光分离作用的纳米金属线栅、多层光学镀膜或以光双折射材料组合制成的极化分光组件。

3.如权利要求1所述的偏光发光二极管组件，其特征在于，所述的偏光层为一平面。

4.如权利要求3所述的偏光发光二极管组件，其特征在于，所述的偏光层与该发光二极管芯片的第一出光面具有一夹角，且该夹角小于九十度。

5.如权利要求1所述的偏光发光二极管组件，其特征在于，所述的偏光层为一曲面。

6.如权利要求5所述的偏光发光二极管组件，其特征在于，所述的偏光层为一凸弧面，且该凸弧面朝向该发光二极管芯片，且与该发光二极管芯片的第一出光面具有一切线角。

7.如权利要求5所述的偏光发光二极管组件，其特征在于，所述的偏光层为一凹弧面，且该凹弧面朝向该发光二极管芯片，且与该发光二极管芯片的第一出光面具有一切线角。

8.如权利要求1所述的偏光发光二极管组件，其特征在于，所述的反射层为具有反射光作用的金属或非金属镀膜。

9.如权利要求1所述的偏光发光二极管组件，其特征在于，所述的反射层为一平面。

10.如权利要求9所述的偏光发光二极管组件，其特征在于，所述的反射层与该发光二极管芯片的第一出光面具有一定夹角，且该夹角大于0度且小于180度。

11.如权利要求1所述的偏光发光二极管组件，其特征在于，所述的反射层为一曲面。

12.如权利要求11所述的偏光发光二极管组件，其特征在于，所述的反射层为一凸弧面，且该凸弧面朝向该发光二极管芯片，且与该发光二极管芯片的第一出光面具有一切线角。

13.如权利要求11所述的偏光发光二极管组件，其特征在于，所述的反射层为一凹弧面，且该凹弧面朝向该发光二极管芯片，且与该发光二极管芯片的第一出光面具有一切线角。

14.如权利要求1所述的偏光发光二极管组件，其特征在于，所述的转换层为一二分之一相位延迟器。

15.如权利要求1所述的偏光发光二极管组件，其特征在于，所述的第二出光面与该发光二极管芯片的第一出光面具有一夹角，且该夹角不等于90度。

16.如权利要求1所述的偏光发光二极管组件，其特征在于，所述的偏光波导结构还包括一透光层，该透光层具有一第一面、一第二面、一入光面以及一第二出光面，该偏光层设置于该第一面，该反射层设置于该第二面，该转换层设置于该第二出光面，该入光面朝向该发光二极管芯片的第一出光面；该发光二极管芯片所发出的光线由该第一出光面输出后，可由该透光层的入光面射入该透光层并投射于该偏光层，再由该偏光层将部分光线反射至该反射层，再由该反射层将光线反射至该第二出光面，再由该转换层射出该偏光波导结构。

17.如权利要求16所述的偏光发光二极管组件，其特征在于，所述的透光层可为透光的亚克力或封装用热固树胶。

18.如权利要求16所述的偏光发光二极管组件，其特征在于，所述的偏光层以纳米压印、沉积镀膜或是贴合技术设置于该透光层上。

19.如权利要求16所述的偏光发光二极管组件，其特征在于，所述的反射层以沉积方式设置于该透光层上。

20.如权利要求16所述的偏光发光二极管组件，其特征在于，所述的转换层贴附于该透光层上。

21.如权利要求1所述的偏光发光二极管组件，其特征在于，对称设有二组偏光波导结构。