[发明专利]图像传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种制造图像传感器的方法，包括：

制备衬底，在所述衬底上限定了像素区和逻辑区，所述像素区和所述逻辑区分别设置有晶体管，所述晶体管包括形成在像素区和所述逻辑区中的栅极；

在所述衬底的整个表面上形成覆盖所述栅极的第一层间介电膜；

通过选择性地刻蚀所述像素区中的所述第一层间介电膜，来形成暴露所述像素区中的所述衬底的一个区域和部分所述栅极的第一接触孔；

通过用金属材料填充所述第一接触孔形成第一接触件；

在所述第一介电膜的整个表面上形成第二层间介电膜；

同时形成第二接触孔和第三接触孔，其中，所述第二接触孔穿透所述像素区中的所述第二层间介电膜以暴露所述第一接触件，所述第三接触孔穿透所述逻辑区中的所述第二层间介电膜和所述第一层间介电膜以暴露所述逻辑区中的部分所述栅极和所述衬底的一个区域；以及

通过用金属材料填充所述第二接触孔和所述第三接触孔形成第二接触件。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一接触孔的所述形成包括：

通过在所述第一层间介电膜上执行光刻工艺形成第一光刻胶图样，所述第一光刻胶图样覆盖形成在逻辑区中的所述第一层间介电膜，而暴露与所述像素区中的所述衬底的所述区域相对应的所述第一层间介电膜的一个区域和所述像素区中的部分所述栅极；以及

通过使用所述第一光刻胶图样作为刻蚀掩膜刻蚀所述第一层间介电膜形成所述第一接触孔，以及然后去除所述第一光刻胶图样。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一层间介电膜由硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)或正硅酸乙酯(TEOS)制成。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二接触孔和所述第三接触孔的所述同时形成包括：

形成第二光刻胶图样，所述第二光刻胶图样暴露对应所述第一接触件的第二层间介电膜的区域以及对应所述逻辑区中的部分所述栅极和所述逻辑区中的所述衬底的所述区域的所述第二层间介电膜的其它区域；

使用所述第二光刻胶图样作为刻蚀掩膜，同时刻蚀所述像素区和所述逻辑区中的所述第二层间介电膜和所述第一层间介电膜；以及

去除所述第二光刻胶图样。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二层间介电膜由BPSG或TEOS制成。

6.一种制造图像传感器的方法包括：

制备衬底，在所述衬底上限定了像素区和逻辑区，所述像素区和所述逻辑区分别设置有晶体管，所述晶体管包括形成在所述像素区和所述逻辑区中的栅极；

在所述衬底的整个表面上形成暴露所述像素区的所述栅极的上表面的第一介电膜；

通过选择性地刻蚀所述像素区中的所述第一介电膜，形成暴露所述像素区中的所述衬底的一个区域的第一接触孔；

通过用金属材料填充所述第一接触孔形成所述第一接触件；

在所述第一介电膜的整个表面上形成第二介电膜；

通过选择性地刻蚀所述第二介电膜，同时形成暴露像素区中的所述第一接触件和部分所述栅极以及暴露所述逻辑区中部分所述栅极和部分所述衬底的第二接触孔；以及

通过用金属材料填充所述第二接触孔形成第二接触件。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一介电膜的形成包括：

在设置有所述栅极的所述像素区和所述逻辑区中的所述衬底的所述整个表面上沉积介电材料；

执行所述介电材料的平坦化直到暴露所述像素区中的所述栅极的所述上表面。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一介电膜和第二介电膜由BPSG或TEOS制成。

9.根据权利要求6所述的方法，其中，所述金属材料由钨、铜和铝组成的组中选择的一种制成。