[发明专利]移除光致抗蚀剂的方法无效

专利信息
申请号: 200910207008.4 申请日: 2009-10-23
公开(公告)号: CN102043355A 公开(公告)日: 2011-05-04
发明(设计)人: 简金城;杨建伦;叶秋显;许哲华;李志成;徐韶华;陈正国;陈信琦;王志坚 申请(专利权)人: 联华电子股份有限公司
主分类号: G03F7/42 分类号: G03F7/42
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 邱军
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 光致抗蚀剂 方法
【权利要求书】:

1.一种移除光致抗蚀剂的方法,包含:

提供基材,其包含图案化光致抗蚀剂;

对该基材进行离子注入步骤;

对该基材进行非氧化性前处理,其中该非氧化性前处理提供包含氢气、载气与等离子体的处理条件;以及

对该基材进行光致抗蚀剂剥除步骤,以完全移除该图案化光致抗蚀剂。

2.如权利要求1的方法,其中该基材包含硅。

3.如权利要求1的方法,其中该离子注入步骤为轻漏极掺杂。

4.如权利要求1的方法,其中该非氧化性前处理包含等离子体灰化步骤,以破坏该光致抗蚀剂。

5.如权利要求1的方法,其中该载气包含惰性气体。

6.如权利要求1的方法,其中在阶段性温度下进行该非氧化性前处理。

7.如权利要求6的方法,其中在150秒至300秒之间进行该阶段性温度。

8.如权利要求1的方法,其中该光致抗蚀剂剥除步骤包含使用硫酸的双氧水溶液。

9.如权利要求1的方法,其中该光致抗蚀剂剥除步骤包含使用氨的双氧水溶液。

10.如权利要求1的方法,其中该光致抗蚀剂剥除步骤实质上不伤害该基材。

11.如权利要求1的方法,其中该光致抗蚀剂剥除步骤为湿式清洁步骤。

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