[发明专利]I-V曲线异常太阳能电池组件中问题电池片的定位方法和修复方法有效
申请号: | 200910206696.2 | 申请日: | 2009-10-30 |
公开(公告)号: | CN101976698A | 公开(公告)日: | 2011-02-16 |
发明(设计)人: | 王仕鹏;刘峰;刘熙;李化阳 | 申请(专利权)人: | 浙江正泰太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人: | 冯谱 |
地址: | 310052 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 曲线 异常 太阳能电池 组件 问题 电池 定位 方法 修复 | ||
1.一种I-V曲线异常太阳能电池组件中问题电池片的定位方法,包括,
测试电池组件的I-V曲线;
如果电池组件的I-V曲线异常,将该电池组件划分为若干电池片段,每个片段中串联电池片的数量>=1,直到每个划分的电池片段的I-V曲线正常;
比较各电池片段的短路电流,如果一个或少数几个电池片段的短路电流与其他电池片段不匹配,即差异超过一个预定值则将该一个或少数几个电池片段作为问题电池片段。
2.根据权利要求1的方法,该预定值是根据具体应用确定的值。
3.一种I-V曲线异常太阳能电池组件中问题电池片的修复方法,包括
利用根据权利要求1的方法对问题电池片定位,
对问题电池片段进行修复。
4.根据权利要求3的方法,其中所述修复是使用短路电流与其他电池片段相差不超过该预定值的电池片段替换问题电池片段。
5.一种I-V曲线异常太阳能电池组件中问题电池片的定位方法,包括,
a.首先测试电池组件的I-V曲线;
b.如果电池组件的I-V曲线异常,则将电池组件划分为若干电池片段,每个片段中串联电池片的数量>=1,分别测量每个电池片段的I-V曲线;
c.如果每个电池片段的I-V曲线正常,则比较各电池片段的短路电流,如果一个或少数几个电池片段的短路电流与其他电池片段不匹配,即差异超过一个预定值,则将该一个或少数几个电池片段作为问题电池片段;
d.如果存在I-V曲线异常的电池片段,则对该I-V曲线异常电池片段重复以上步骤b和c,进一步划分为若干电池片段,如果进一步划分的电池片段的I-V曲线正常,则如上确定出短路电流不匹配的电池片段作为问题电池片段;如果还存在I-V曲线异常的电池片段,则重复以上过程,直到最后一次划分的电池片段的I-V曲线都正常,并从其中确定短路电流不匹配的电池片段作为问题电池片段。
6.根据权利要求5的方法,该预定值是根据具体应用确定的值。
7.一种I-V曲线异常太阳能电池组件中问题电池片的修复方法,包括
利用根据权利要求5的方法对问题电池片定位,
对问题电池片段进行修复。
8.根据权利要求7的方法,其中所述修复是使用短路电流与其他电池片段相差不超过该预定值的电池片段替换问题电池片段。
9.一种I-V曲线异常太阳能电池串中问题电池片的定位方法,包括,
将该I-V曲线异常太阳能电池串分为若干电池片段,
将某一电池片段短路后如果该电池串的I-V曲线正常,将该电池片段内的电池片逐片加入到其他部分中,若加入的电池片引起电池串的I-V曲线异常,则将该加入的电池片确定为问题电池片,
将该问题电池片短路,如果该电池串I-V曲线正常,则结束问题电池片定位,如果仍然异常,则在将该问题电池片短路后,继续逐片加入电池片定位其他问题电池片,直到该电池串的I-V曲线正常。
10.一种I-V曲线异常太阳能电池组件中问题电池片的修复方法,包括
利用根据权利要求9的方法对问题电池片定位,
对问题电池片段进行修复。
11.一种I-V曲线异常太阳能电池串中问题电池片的定位方法,包括,
将该I-V曲线异常太阳能电池串分为若干电池片段,
将某一电池片段短路后如果该电池串的I-V曲线正常,将该电池片段内的电池片逐片加入到其他部分中,若加入的电池片引起电池串的I-V曲线异常,则将该加入的电池片确定为问题电池片,
将该问题电池片短路,如果该电池串I-V曲线正常,则结束问题电池片定位,如果仍然异常,则在将该问题电池片短路后,继续逐片加入电池片定位其他问题电池片,直到该电池串的I-V曲线正常。
12.一种I-V曲线异常太阳能电池串中问题电池片的修复方法,包括
利用根据权利要求11的方法对问题电池片定位,
对问题电池片段进行修复。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江正泰太阳能科技有限公司,未经浙江正泰太阳能科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910206696.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种横磁偏振光子晶体慢光效应半导体光放大器
- 下一篇:一种N型背接触电池
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的