[发明专利]用于制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体器件的方法，包含以下步骤：

在衬底的上方形成栅电极；

在所述栅电极的上方形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层的上方形成氧化物半导体层；

通过湿法蚀刻加工所述氧化物半导体层以形成岛状氧化物半导 体层；

在所述岛状氧化物半导体层的上方形成导电层；

通过第一干法蚀刻加工所述导电层以形成源电极和漏电极，以及

通过第二干法蚀刻去除所述岛状氧化物半导体层的一部分以在 所述岛状氧化物半导体层中形成凹陷部分，

其中所述第二干法蚀刻中使用的气体中的氧气含量按体积百分 比为15％或更多。

2.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其中所述 氧化物半导体层包括铟、镓、和锌。

3.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其中使用 在所述干法蚀刻中的蚀刻速率高于所述氧化物半导体层所用的材料 的蚀刻速率的材料来形成所述导电层。

4.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其中用包 括氯的气体进行所述干法蚀刻。

5.根据权利要求4所述的用于制造半导体器件的方法，其中

使用包括氧化硅的材料形成所述栅绝缘层，并且

所述包括氯的气体包括氧。

6.一种用于制造半导体器件的方法，包含以下步骤：

在衬底的上方形成栅电极；

在所述栅电极的上方形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层的上方形成氧化物半导体层；

通过湿法蚀刻加工所述氧化物半导体层以形成岛状氧化物半导 体层；

在所述岛状氧化物半导体层的上方形成导电层；

通过干法蚀刻加工所述导电层以形成源电极和漏电极，以及

通过所述干法蚀刻去除所述岛状氧化物半导体层的一部分以在 所述岛状氧化物半导体层中形成凹陷部分，

其中所述干法蚀刻中使用的气体中的氧气含量按体积百分比为 15％或更多。

7.根据权利要求6所述的用于制造半导体器件的方法，其中所述 氧化物半导体层包括铟、镓、和锌。

8.根据权利要求6所述的用于制造半导体器件的方法，其中使用 在所述干法蚀刻中的蚀刻速率高于所述氧化物半导体层所用的材料 的蚀刻速率的材料来形成所述导电层。

9.根据权利要求6所述的用于制造半导体器件的方法，其中用包 括氯的气体进行所述干法蚀刻。

10.根据权利要求9所述的用于制造半导体器件的方法，其中

使用包括氧化硅的材料形成所述栅绝缘层，并且

所述包括氯的气体包括氧。

11.一种用于制造半导体器件的方法，包含以下步骤：

在衬底的上方形成栅电极；

在所述栅电极的上方形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层的上方形成第一氧化物半导体层；

在所述第一氧化物半导体层的上方形成第二氧化物半导体层，其 中所述第二氧化物半导体层的导电率高于所述第一氧化物半导体层 的导电率；

通过湿法蚀刻加工所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物 半导体层以形成第一岛状氧化物半导体层和第二岛状氧化物半导体 层；

在所述第二岛状氧化物半导体层的上方形成导电层；

通过第一干法蚀刻加工所述导电层以形成源电极和漏电极；以及

通过第二干法蚀刻去除所述第一岛状氧化物半导体层的一部分 和所述第二岛状氧化物半导体层的一部分以在所述第一岛状氧化物 半导体层中形成凹陷部分，

其中所述第二干法蚀刻中使用的气体中的氧气含量按体积百分 比为15％或更多。

12.根据权利要求11所述的用于制造半导体器件的方法，其中所 述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层每个都包括铟、 镓、和锌。