[发明专利]半导体器件及其形成方法有效

专利信息
申请号: 200910206176.1 申请日: 2009-10-21
公开(公告)号: CN101728329A 公开(公告)日: 2010-06-09
发明(设计)人: 玄尚镇;崔时荣;申裕均;徐康一;赵学柱;罗勋奏;李晓山;朴全雄;李惠兰;洪炯硕 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L21/8238 分类号: H01L21/8238;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/43
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 李佳;穆德骏
地址: 韩国京畿道水*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件 及其 形成 方法
【说明书】:

优先权申请的参考

本美国专利申请要求在2008年10月21日提交的韩国专利 申请No.10-2008-0103197的优先权,其内容在此处通过引用被并入。

技术领域

此处公开的实施例涉及半导体器件及其形成方法,更具体 地,涉及包括电介质层的半导体器件及其形成方法。

背景技术

随着半导体工业的高度发展,半导体器件的高度集成加深。 即,半导体器件的最小线宽和层(例如,传导层和/或电介质层)厚度 变得日益微小。半导体器件的微型化可能引发许多问题。例如,可能 发生操作速度的下降、功耗的增加和/或可靠性的下降。相反地,用户 对改善半导体器件的多种特性(例如,高速度、低功耗和/或高可靠性) 的要求越来越多。半导体器件的许多研究正在进行,以满足微型化和 用户的要求。

发明内容

示例性实施例提供了一种形成半导体器件的方法。该方法可 以包括在衬底上形成金属氧化物层;在该金属氧化物层上形成牺牲氧 化物层;并且对包括该牺牲氧化物层的衬底执行退火工艺。在退火工 艺的工艺温度下,牺牲氧化物层的生成自由能大于金属氧化物层的生 成自由能。

示例性实施例提供了一种半导体器件。该半导体器件可以包 括衬底;和设置于衬底上的金属氧化物层,该金属氧化物层包括特定 元素和至少一个金属元素,其中该特定元素和氧之间的反应性小于该 金属元素和氧之间的反应性。

附图说明

所包括的附图用于提供本发明的进一步的理解,并且被并入 本说明书并且构成本说明书的一部分。附图说明了本发明的示例性实 施例,并且连同具体实施方式一起,用于解释本发明的原理。在附图 中:

图1至3是说明根据本发明的实施例的形成半导体器件的方 法的横截面图。

图4是根据本发明的实施例的半导体器件的横截面图。

图5是说明根据本发明的实施例的半导体器件的金属氧化 物层中的特定元素浓度的曲线图,该曲线图是沿图4的线I-I’截取的。

图6是根据本发明的实施例的半导体器件的能带图,该能带 图是沿图4的线I-I’截取的。

图7至10是说明根据本发明的另一实施例的形成半导体器 件的方法的横截面图。

图11是根据本发明的另一实施例的半导体器件的横截面 图。

图12是根据本发明的又一实施例的半导体器件的横截面 图。

具体实施方式

下面将通过参考附图更加全面地描述本发明,在附图中示出 了本发明的实施例。然而,本发明可以具体化为许多不同的形式并且 不应被解释为限于此处阐述的实施例。确切的讲,这些实施例被提供, 以便本公开内容将是无遗漏的和完整的,并且将本发明的范围全面地 传达给本领域的技术人员。在附图中,为了清楚起见,层和区域的尺 寸和相对尺寸可被放大。通篇中相同的附图标记表示相同的要素。

将理解,在将要素称为“连接”或“耦合”到另一要素时, 其可以直接连接或耦合到该另一要素或者可以存在中间要素。相反地, 在将要素称为“直接连接”或“直接耦合”到另一要素时,不存在中 间要素。如此处使用的术语“和/或”包括一个或多个所关联的列出事 项的任何以及所有组合并且可以简写为“/”。

将理解,尽管此处使用术语第一、第二等描述多种要素,但 是这些要素不应受此术语的限制。这些术语仅用于使一个要素区别于 另一要素。例如,第一区域/层可被称为第二区域/层,并且相似地,在 不偏离本公开内容的教授内容的前提下,第二区域/层可被称为第一区 域/层。

此处使用的术语仅用于描述特定实施例的目的,并非限制本 发明。除非上下文清楚地指出,否则如此处使用的单数形式“一”也 应包括复数形式。将进一步理解,术语“包括”和/或“含有”在本说 明书中使用时,指明了所陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、要 素和/或部件的存在,但是并未排除一个或多个其他特征、区域、整体、 步骤、操作、要素、部件和/或其组的存在或添加。

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