[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
申请号: | 200910206176.1 | 申请日: | 2009-10-21 |
公开(公告)号: | CN101728329A | 公开(公告)日: | 2010-06-09 |
发明(设计)人: | 玄尚镇;崔时荣;申裕均;徐康一;赵学柱;罗勋奏;李晓山;朴全雄;李惠兰;洪炯硕 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/8238 | 分类号: | H01L21/8238;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/43 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 李佳;穆德骏 |
地址: | 韩国京畿道水*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
优先权申请的参考
本美国专利申请要求在2008年10月21日提交的韩国专利 申请No.10-2008-0103197的优先权,其内容在此处通过引用被并入。
技术领域
此处公开的实施例涉及半导体器件及其形成方法,更具体 地,涉及包括电介质层的半导体器件及其形成方法。
背景技术
随着半导体工业的高度发展,半导体器件的高度集成加深。 即,半导体器件的最小线宽和层(例如,传导层和/或电介质层)厚度 变得日益微小。半导体器件的微型化可能引发许多问题。例如,可能 发生操作速度的下降、功耗的增加和/或可靠性的下降。相反地,用户 对改善半导体器件的多种特性(例如,高速度、低功耗和/或高可靠性) 的要求越来越多。半导体器件的许多研究正在进行,以满足微型化和 用户的要求。
发明内容
示例性实施例提供了一种形成半导体器件的方法。该方法可 以包括在衬底上形成金属氧化物层;在该金属氧化物层上形成牺牲氧 化物层;并且对包括该牺牲氧化物层的衬底执行退火工艺。在退火工 艺的工艺温度下,牺牲氧化物层的生成自由能大于金属氧化物层的生 成自由能。
示例性实施例提供了一种半导体器件。该半导体器件可以包 括衬底;和设置于衬底上的金属氧化物层,该金属氧化物层包括特定 元素和至少一个金属元素,其中该特定元素和氧之间的反应性小于该 金属元素和氧之间的反应性。
附图说明
所包括的附图用于提供本发明的进一步的理解,并且被并入 本说明书并且构成本说明书的一部分。附图说明了本发明的示例性实 施例,并且连同具体实施方式一起,用于解释本发明的原理。在附图 中:
图1至3是说明根据本发明的实施例的形成半导体器件的方 法的横截面图。
图4是根据本发明的实施例的半导体器件的横截面图。
图5是说明根据本发明的实施例的半导体器件的金属氧化 物层中的特定元素浓度的曲线图,该曲线图是沿图4的线I-I’截取的。
图6是根据本发明的实施例的半导体器件的能带图,该能带 图是沿图4的线I-I’截取的。
图7至10是说明根据本发明的另一实施例的形成半导体器 件的方法的横截面图。
图11是根据本发明的另一实施例的半导体器件的横截面 图。
图12是根据本发明的又一实施例的半导体器件的横截面 图。
具体实施方式
下面将通过参考附图更加全面地描述本发明,在附图中示出 了本发明的实施例。然而,本发明可以具体化为许多不同的形式并且 不应被解释为限于此处阐述的实施例。确切的讲,这些实施例被提供, 以便本公开内容将是无遗漏的和完整的,并且将本发明的范围全面地 传达给本领域的技术人员。在附图中,为了清楚起见,层和区域的尺 寸和相对尺寸可被放大。通篇中相同的附图标记表示相同的要素。
将理解,在将要素称为“连接”或“耦合”到另一要素时, 其可以直接连接或耦合到该另一要素或者可以存在中间要素。相反地, 在将要素称为“直接连接”或“直接耦合”到另一要素时,不存在中 间要素。如此处使用的术语“和/或”包括一个或多个所关联的列出事 项的任何以及所有组合并且可以简写为“/”。
将理解,尽管此处使用术语第一、第二等描述多种要素,但 是这些要素不应受此术语的限制。这些术语仅用于使一个要素区别于 另一要素。例如,第一区域/层可被称为第二区域/层,并且相似地,在 不偏离本公开内容的教授内容的前提下,第二区域/层可被称为第一区 域/层。
此处使用的术语仅用于描述特定实施例的目的,并非限制本 发明。除非上下文清楚地指出,否则如此处使用的单数形式“一”也 应包括复数形式。将进一步理解,术语“包括”和/或“含有”在本说 明书中使用时,指明了所陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、要 素和/或部件的存在,但是并未排除一个或多个其他特征、区域、整体、 步骤、操作、要素、部件和/或其组的存在或添加。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造