[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，

包括：第一导电型的半导体层；

元件分离绝缘膜，形成在所述半导体层的表面上；

第一导电型主体层，与所述元件分离绝缘膜的一端相邻，并形成在所述半导体层的表面上；

第二导电型漏极层，与所述元件分离绝缘膜的另一端相邻，并形成在所述半导体层的表面上；

第二导电型源极层，形成在所述主体层的表面上；

栅极绝缘膜，形成在所述主体层上；

栅电极，从所述元件分离绝缘膜上经由所述栅极绝缘膜延伸到所述主体层上；和

漂移层，从所述漏极层的下方扩展到所述源极层下部的所述主体层下方的所述半导体层中，

所述漂移层在所述漏极层的正下方的深度比在所述元件分离绝缘膜的下方的深度浅，并且所述漂移层从所述元件分离绝缘膜的下方起越接近所述主体层越变浅，并与所述主体层的底部连接。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述主体层的下方的所述漂移层与相邻的其他漂移层不重叠。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述漏极层的下方的所述漂移层与相邻的其他漂移层重叠。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述主体层包括形成在该主体层的表面上的第一导电型沟道层，

所述沟道层的杂质浓度比所述主体层的杂质浓度高。

5.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，

包括：在第一导电型半导体层的表面选择性地导入第二导电型杂质的工序；

通过选择氧化导入了所述杂质的区域，形成元件分离绝缘膜，并且使所述杂质扩散，形成第二导电型漂移层的工序；

以所述元件分离绝缘膜为基准，形成与所述元件分离绝缘膜的一端相邻的第一导电型主体层的工序；

在所述主体层上形成栅极绝缘膜的工序；

形成栅电极的工序，该栅电极从所述元件分离绝缘膜上经由所述栅极绝缘膜延伸到所述主体层上；和

在所述主体层的表面上形成第二导电型源极层，并且形成与所述元件分离绝缘膜的另一端相邻的第二导电型漏极层的工序，

所述漂移层按照如下方式扩散：从所述漏极层的下方向所述源极层下部的所述主体层下方的所述半导体层中扩展，并且所述漂移层在所述漏极层的正下方的深度比在所述元件分离绝缘膜的下方的深度浅，另外，所述漂移层从所述元件分离绝缘膜的下方起越接近所述主体层越变浅。

6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述漂移层形成为：从所述元件分离绝缘膜的下方起越接近所述主体层越变浅，并与所述主体层的底部连接。

7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述主体层下方的所述漂移层按照与相邻的其他漂移层不重叠的状态形成。

8.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述漏极层下方的所述漂移层与相邻的其他漂移层重叠而形成。

9.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

还包括：在所述栅电极的下方的所述主体层的表面上，通过注入偏斜离子，形成第一导电型沟道层的工序。