[发明专利]图像传感器及其制造方法无效
申请号: | 200910205713.0 | 申请日: | 2009-07-03 |
公开(公告)号: | CN101667547A | 公开(公告)日: | 2010-03-10 |
发明(设计)人: | 朴炳俊;金相熙 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/82;H01L27/146;H01L23/12;H04N5/335 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 张 波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
1.一种制造互补金属氧化物半导体图像传感器的方法,该方法包括:
形成基板结构,该基板结构包括第一基板、第二基板以及在所述第一基板与所述第二基板之间的氧化层和含氮的指数匹配层;
在所述第二基板中形成至少一个感光器件;
在形成所述基板结构之后,在所述第二基板的第一表面上形成金属互连结构,所述第一表面朝向远离所述第一基板,使得所述至少一个感光器件在所述金属互连结构与所述指数匹配层和所述氧化层之间,所述金属互连结构电连接到所述至少一个感光器件。
2.如权利要求1所述的方法,其中所述氧化层通过热氧化所述第二基板的面对所述第一表面的第二表面而形成,并且所述氧化层形成在所述指数匹配层和所述第二基板之间。
3.如权利要求2所述的方法,还包括在所述第二基板中形成浅注入层,使得所述浅注入层在所述第二基板的主体和所述氧化层之间。
4.如权利要求3所述的方法,其中形成所述浅注入层包括将p型掺杂剂的离子注入到所述第二基板中并热激活被注入的离子。
5.如权利要求2所述的方法,其中所述指数匹配层由氮化硅层形成,并且形成所述基板结构还包括在所述氮化硅层上形成接合氧化层,该接合氧化层与所述第一基板接触。
6.如权利要求5所述的方法,形成所述基板结构还包括,在将所述第一基板和所述第二基板接合在一起之后且在形成所述至少一个感光器件之前,去除所述第二基板的一部分以使所述第二基板减薄约50%或更多。
7.如权利要求5所述的方法,形成所述基板结构还包括:
在将所述第一基板和所述第二基板接合在一起之前,在所述第二基板中离所述氧化层预定距离处形成微腔层,
将所述第一基板和所述第二基板接合在一起,
去除所述第二基板的一部分到所述微腔层的深度。
8.如权利要求7所述的方法,还包括,在去除所述第二基板的一部分到所述微腔层的深度之后,在所述第二基板上形成外延层,其中所述至少一个感光器件在形成所述外延层之后形成。
9.如权利要求7所述的方法,形成所述基板结构还包括在形成所述氧化层和所述微腔层之后,在所述第二基板中形成浅注入层,所述浅注入层在所述氧化层和所述微腔层之间形成。
10.如权利要求2所述的方法,其中所述指数匹配层由氮化硅层形成。
11.如权利要求10所述的方法,其中所述氧化层和所述指数匹配层形成抗反射层。
12.如权利要求2所述的方法,还包括:
在所述第二基板中形成相邻的感光器件;以及
在所述相邻的感光器件之间形成隔离层,所述隔离层形成为从所述第二基板的所述第一表面延伸到足够的深度以阻止每个所述相邻的感光器件之间的光学串扰。
13.如权利要求1所述的方法,还包括,在形成所述金属互连结构之后,将所述第一基板的厚度减少约50%或更多。
14.如权利要求13所述的方法,形成所述基板结构包括在所述第一基板和所述指数匹配层之间形成蚀刻终止层。
15.如权利要求13所述的方法,还包括在形成金属互连结构之后且在将所述第一基板的厚度减少约50%或更多之前,将第三基板接合到所述第二基板的所述第一表面。
16.一种互补金属氧化物半导体图像传感器,包括:
基板,在该基板的第二表面处具有热氧化层;
在所述基板中的至少一个感光器件;以及
在所述基板的第一表面上的金属互连结构,所述第一表面与所述第二表面相反,使得所述至少一个感光器件在所述金属互连结构和所述热氧化层之间,所述金属互连结构电连接到所述至少一个感光器件。
17.如权利要求16所述的互补金属氧化物半导体图像传感器,还包括在所述热氧化层上的含氮的指数匹配层,其中所述热氧化层与所述基板的所述第二表面邻接,使得所述热氧化层在所述指数匹配层与所述至少一个感光器件之间。
18.如权利要求17所述的互补金属氧化物半导体图像传感器,其中所述指数匹配层为氮化硅层,所述热氧化层在所述氮化硅层和所述至少一个感光器件之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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