[发明专利]柔性发光装置、电子设备及柔性发光装置的制造方法有效
| 申请号: | 200910205184.4 | 申请日: | 2009-10-16 |
| 公开(公告)号: | CN101728420A | 公开(公告)日: | 2010-06-09 |
| 发明(设计)人: | 波多野薰;濑尾哲史;永田贵章;冈野达也 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56;H01L21/82;H01L21/50;G09F9/33 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 王健 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 柔性 发光 装置 电子设备 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及发光装置及其制造方法。此外,本发明还涉及搭载了 该种发光装置的电子设备。
背景技术
近年来,显示器领域的技术显著地发展,特别是在高精细化、薄 型化方面,因市场需要的推动而取得了显著的进步。
作为该领域的下一个阶段(phase),能够再现曲面的柔性显示器 的商品化引人注目,关于显示器的柔性化,已提出各种各样的提案(例 如参照专利文件1)。此外,使用了柔性衬底的发光装置与使用了玻 璃等的情况相比可以大幅度地轻量化。
但是,这种柔性显示器的实用化中最大的难关在于其寿命。
这是因为如下缘故:作为需要在支持发光元件的同时保护元件不 受到外界的水分、氧等影响的衬底,不能使用不具有柔性的玻璃衬底, 而必须使用虽具有柔性但透水性高且耐热性低的塑料衬底。因塑料衬 底的耐热性低,因此不能以高温制造优质的保护膜,从使用了塑料衬 底的一侧侵入的水分给发光元件乃至发光装置的寿命带来大的不利影 响。例如,在非专利文献1中介绍了制造在以聚醚砜(PES)为基础的 衬底上制造发光元件并使用铝膜进行了密封的柔性发光装置的例子, 然而其寿命是230小时左右,难以实用。在非专利文献2及非专利文 献3中介绍了在不锈钢衬底上制造了发光元件的柔性发光装置的例 子,虽然抑制了从不锈钢衬底侧的水分的侵入,但不能有效地防止从 发光元件侧的水分的侵入。因此,在不锈钢衬底上制造柔性发光装置, 在发光元件侧通过应用将多种材料反复层叠多层的密封膜,从而尝试 寿命的改善。
另外,铝膜这样的金属薄膜或不锈钢衬底同时具有柔性和低透水 性,但在通常的厚度下不透过可见光,所以在发光装置中限于只将其 用于夹持发光元件的一对衬底中的任一方。
[专利文献1]日本专利申请公开2003-204049号公报
[非专利文献1]Gi Heon Kim等,IDW’03,2003,p.387-p.390
[非专利文献2]Dong Un Jin等,SID 06 DIGEST,2006,p.1855- p.1857
[非专利文献3]Anna Chwang等,SID 06 DIGEST,2006,p.1858- p.1861
非专利文献1的寿命短认为是以下的结果:虽然抑制了从使用铝 膜进行了密封的上部的水分的侵入,但不能阻止从PES衬底侧的水分 的侵入。此外,由于用于这种发光装置的发光元件的耐热性也低,因 此也难以在形成发光元件之后形成优质的保护膜。
在非专利文献2及非专利文献3中,看起来获得了与用玻璃衬底 夹持的发光装置相同程度的寿命,但这是通过如上所述使用反复层叠 由多种材料构成的层而成的密封膜而实现的,生产率低。低生产率造 成价格上涨,所以不太现实。
这样,在柔性发光装置中,因使用耐热性比以往使用的玻璃衬底 低的塑料衬底,因此不能使用致密的高温成膜的保护膜,发光元件及 发光装置的寿命短。此外,为对其补充而使用的密封膜的生产率非常 低。
此外,因为柔性发光装置使用塑料衬底,所以与玻璃衬底等相比 容易带电。由此有如下忧虑:由于某种原因例如从人体放出静电而将 电荷蓄积在柔性发光装置中,产生起因于静电的不利情况。
发明内容
因此,本发明的一个方式的目的之一在于简便地提供寿命长的柔 性发光装置。此外,本发明的一个方式的目的之一还在于提供使用了 该柔性发光装置的电子设备。此外,本发明的课题之一还在于提供进 行了抗静电处理的柔性发光装置。
借助于一种柔性发光装置能够解决上述课题,该柔性发光装置如 下制造:在玻璃衬底等耐热性高的衬底上在适当的温度下形成保护膜, 以使它具有充分低的透水性;在保护膜上形成TFT、发光元件的电极 或发光元件等的必要部分之后,将它们与保护膜一起转置到塑料衬底; 最后使用粘合剂粘合金属衬底。
也就是说,在本说明书中公开的发明之一是一种柔性发光装置, 包括:具有柔性及对于可见光的透光性的衬底;设置在衬底上的第一 粘合剂层;位于第一粘合剂层上的包含氮及硅的绝缘膜;具备形成在 绝缘膜上的第一电极、与第一电极相对的第二电极及设置在第一电极 和第二电极之间的EL层的发光元件;形成在第二电极上的第二粘合剂 层;以及设置在第二粘合剂层上的金属衬底,其中金属衬底的厚度为 10μm~200μm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





