[发明专利]SOI衬底与固态图像拾取器件及制造方法及图像拾取设备

权利要求书

1.一种用于制造SOI衬底的方法，包括以下步骤：

制备SOI衬底，该SOI衬底包括硅衬底、设置在所述硅衬底上的 硅氧化物层、设置在所述硅氧化物层上的硅层以及设置在所述硅衬底 中的收集层；

在所述SOI衬底的硅层的表面上形成氧化物膜；

从所述SOI衬底的靠近所述硅层的表面注入杂质以形成杂质掺杂 区域的损伤层，该杂质掺杂区域位于所述硅氧化物层中，或者该杂质 掺杂区域的靠近所述硅层的一端设置在硅氧化物层内，另一端延伸到 硅衬底；以及

去除所述氧化物膜。

2.一种用于制造SOI衬底的方法，包括以下步骤：

在由硅构成的第一衬底的一个表面上形成硅氧化物层；

将氢或稀有气体元素离子注入到所述第一衬底中以形成剥离层；

将杂质注入到所述硅氧化物层中以形成杂质掺杂区域的损伤层；

制备第二衬底，所述第二衬底包括设置在所述第二衬底内的收集 层；

将所述第二衬底与所述硅氧化物层的靠近所述损伤层的表面结 合；

在所述剥离层处分离所述第一衬底；以及

抛光在所述第二衬底上留下的所述第一衬底的部分的硅层的表 面。

3.一种用于制造SOI衬底的方法，包括以下步骤：

在由硅构成的第一衬底的一个表面上形成第一硅氧化物层；

将氢或稀有气体元素离子注入到所述第一衬底中以形成剥离层；

在第二衬底的整个表面上形成第二硅氧化物层；

在所述第二衬底内形成收集层；

将杂质注入到所述第二硅氧化物层中或所述第二硅氧化物层和所 述第二衬底的靠近所述第二硅氧化物层的部分中以形成杂质掺杂区域 的损伤层；

将所述第二硅氧化物层的靠近所述损伤层的表面与所述第一硅氧 化物层的表面结合；

在所述剥离层处分离所述第一衬底；

去除露出的第一硅氧化物层和露出的第二硅氧化物层；以及

抛光在所述第二衬底上留下的所述第一衬底的硅层的表面。

4.一种用于制造SOI衬底的方法，包括以下步骤：

在硅衬底内形成收集层；

在所述硅衬底上形成第一外延生长的硅层；

在所述硅衬底的表面上和所述第一外延生长的硅层的表面上形成 氧化物膜；

在所述第一外延生长的硅层中形成硅氧化物层；

在所述硅氧化物层注入杂质以形成杂质掺杂区域的损伤层；以及

去除露出的氧化物膜。

5.一种固态图像拾取器件，包括：

包括光电转换单元、像素晶体管和外围电路的硅层；

滤色器层，其设置在所述硅层的一部分上，该部分位于入射到所 述光电转换单元上的光的路径中；

会聚透镜，其设置在所述滤色器层上并且配置成将入射光引导到 所述光电转换单元；

布线层，该布线层包括多个布线和配置成覆盖所述布线的层间绝 缘膜，所述布线层设置在所述硅层的与靠近入射光侧的表面相对的表 面上；

设置在所述布线层上的支撑衬底；

损伤层，其由杂质掺杂区域形成，所述杂质掺杂区域设置在所述 硅层的位于入射光侧并且在入射到所述光电转换单元上的光的路径之 外的表面部分上；以及

配置成到达所述布线层中的所述布线的开口。