[发明专利]半导体芯片、封环结构及其制造方法

权利要求书

1.一种封环结构，其特征在于，包括：

一基板；

一源/汲极层，位于该基板之中；

一第一介电层，位于该基板之上，具有一第一接触层与一第二接触层；

一第一下层金属层，位于该第一介电层之上，并且通过该第一介电层中的该第一接触层电连接于该源/汲极层；

一闸极层，设置在该第一介电层之中；及

一第二下层金属层，位于该第一介电层之上，并且通过该第一介电层中的该第二接触层电连接于该闸极层。

2.如权利要求1所述的封环结构，其特征在于，该第一下层金属层与该第二下层金属层之间连同该第一接触层与该第二接触层之间形成一电容。

3.如权利要求2所述的封环结构，其特征在于，该源/汲极层为该稳压电容的一第一电极端。

4.如权利要求3所述的封环结构，其特征在于，该源/汲极层为一掺杂层。

5.如权利要求4所述的封环结构，其特征在于，该掺杂层为N+掺杂或P+掺杂。

6.如权利要求3所述的封环结构，其特征在于，该第一电极端连接一系统低电压。

7.如权利要求2所述的封环结构，其特征在于，该闸极层为该电容之一第二电极端。

8.如权利要求7项所述的封环结构，其特征在于，该闸极层为一复晶矽层。

9.如权利要求7项所述的封环结构，其特征在于，该第二电极端连接一系统高电压。

10.如权利要求1项所述的封环结构，其特征在于，更包括：

一第二介电层，位于该第一下层金属层与该第二下层金属层之上；

一上层金属层，位于该第二介电层之上，并且通过该第二介电层中的一第三接触层电连接于该第一下层金属层；及

一保护层，位于该上层金属层之上。

11.一种封环结构制造方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

形成一源/汲极层于该基板中；

形成一第一介电层于该基板之上；

形成一闸极层于该第一介电层之中；

形成一第一下层金属层于该第一介电层之上，并且该第一下层金属层经由一第一接触层电连接于该源/汲极层；及

形成一第二下层金属层于该第一介电层之上，并且该第二下层金属层经由一第二接触层电连接于该闸极层。

12.如权利要求11所述的封环结构制造方法，其特征在于，更包括：

形成一第二介电层于该第一下层金属层与该第二下层金属层之上；及

形成一上层金属层于该第二介电层之上，并且该上层金属层经由一第三接触层电连接于该第一下层金属层。

13.如权利要求12所述的封环结构制造方法，其特征在于，更包括：

形成一保护层于该上层金属层之上。

14.一种半导体芯片，其特征在于，包括：

一集成电路区；及

一封环，设置在该集成电路区的外侧，该封环围绕该集成电路区，其中，该封环包括：

一基板；

一源/汲极层，位于该基板之中；

一第一介电层，位于该基板之上，具有一第一接触层与一第二接触层；

一第一下层金属层，位于该第一介电层之上，并且通过该第一介电层中的该第一接触层电连接于该源/汲极层；

一闸极层，设置在该第一介电层之中；及

一第二下层金属层，位于该第一介电层之上，并且通过该第一介电层中的该第二接触层电连接于该闸极层。

15.如权利要求14所述的半导体芯片，其特征在于，该封环更包括：

一第二介电层，位于该第一下层金属层与该第二下层金属层之上；

一上层金属层，位于该第二介电层之上，并且通过该第二介电层中的一第三接触层电连接于该第一下层金属层；及

一保护层，位于该上层金属层之上。