[发明专利]半导体芯片的背面金属处理

权利要求书

1.一种集成电路结构，包括：

包括前面和背面的半导体衬底；

穿透所述半导体衬底的穿透硅通孔(TSV)，所述TSV包括延伸到所述半 导体衬底背面的后端；

再分配线(RDL)，在所述半导体衬底背面上并且与所述TSV的后端连接； 和

在所述RDL上的硅化物层。

2.根据权利要求1的集成电路结构，其中所述RDL包括铜，并且其中所 述硅化物层包括硅化铜。

3.根据权利要求1的集成电路结构，还包括：

在所述RDL上的钝化层；和

在所述钝化层中且直接在所述RDL的一部分上的开口。

4.根据权利要求3的集成电路结构，其中所述开口穿过所述硅化物层， 并且其中所述RDL的所述一部分通过所述开口暴露。

5.根据权利要求3的集成电路结构，其中通过硅化物层将所述开口与所 述RDL隔离开。

6.根据权利要求3的集成电路结构，还包括所述开口中的镍层和在所述 镍层上的金层。

7.根据权利要求3的集成电路结构，其中所述硅化物层分别与所述RDL 和所述钝化层物理接触。

8.根据权利要求3的集成电路结构，其中所述RDL的侧壁直接位于所述 开口的下面。

9.一种集成电路结构，包括：

包括前面和背面的半导体衬底；

穿透所述半导体衬底的穿透硅通孔(TSV)，所述TSV包括延伸超出所述 半导体衬底背面的后端；

再分配线(RDL)，在所述半导体衬底背面上并且与所述TSV的后端相连， 其中所述RDL包含铜；

在所述RDL上并与之相邻的硅化物层，其中所述硅化物层包含硅化铜；

在所述RDL上并与之相邻的钝化层；

在所述钝化层和所述硅化物层中的开口，其中所述RDL的一部分通过所 述开口暴露；和

在所述开口中并与所述RDL接触的金属层。

10.根据权利要求3或9的集成电路结构，其中所述钝化层包括含氧电介 质材料。

11.根据权利要求9的集成电路结构，其中所述金属层与所述RDL物理 接触；或者其中所述金属层与所述硅化物层物理接触，并通过所述硅化物层与 RDL分隔开。

12.根据权利要求9的集成电路结构，其中所述金属层包括镍层和在所述 镍层上的金层。

13.根据权利要求9的集成电路结构，其中所述金属层的整体直接在所述 RDL上；或者其中所述金属层包括直接在所述RDL上面的第一部分和在所述 RDL的侧壁上的第二部分。

14.根据权利要求1或9的集成电路结构，其中所述硅化物层包括与所述 RDL的上表面邻接的水平部分和在RDL侧壁上的侧壁部分。

15.根据权利要求14的集成电路结构，其中RDL的所有侧壁都与硅化物 层接触。