[发明专利]一种改善栅氧化层TDDB失效的方法无效
| 申请号： | 200910202978.5 | 申请日： | 2009-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN101901785A | 公开（公告）日： | 2010-12-01 |
| 发明（设计）人： | 张建伟;张松;王文全;洪文田;曾海 | 申请（专利权）人： | 和舰科技(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/336;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 郑光 |
| 地址： | 215025 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 氧化 tddb 失效 方法 | ||
1.一种改善栅氧化层TDDB失效的方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1，提供一衬底；
步骤2，在该衬底上形成一层牺牲氧化层；
步骤3，在该牺牲氧化层上形成氮化硅层，该氮化硅层作为硬掩膜；
步骤4，在该氮化硅层上形成对位标记；
步骤5，用浅沟道隔离工艺对该对位标记进行蚀刻，在衬底中形成STI；
步骤6，用介电质填充上述STI并在氮化硅层上形成介电质层；
步骤7，对该介电质层进行化学机械研磨，研磨至该氮化硅层；
步骤8，在该氮化硅层及STI的上部形成热氧化层；
步骤9，用热磷酸去除该热氧化层及氮化硅层。
2.根据权利要求1所述的一种改善栅氧化层TDDB失效的方法，其特征在于，步骤8中的热氧化层的形成工艺为：在高温炉管中通入氧气，并进行热氧化制作工艺。
3.根据权利要求1或2所述的一种改善栅氧化层TDDB失效的方法，其特征在于，步骤8中的热氧化层形成的温度范围为900℃-1100℃。
4.根据权利要求1或2所述的一种改善栅氧化层TDDB失效的方法，其特征在于，步骤8中的热氧化层的材料为二氧化硅。
5.根据权利要求1或2所述的一种改善栅氧化层TDDB失效的方法，其特征在于，步骤8中的热氧化层的厚度范围为150A-500A。
6.根据权利要求1所述的一种改善栅氧化层TDDB失效的方法，其特征在于，还包括在步骤8形成热氧化层之前对化学机械研磨后的晶片进行清洗的步骤。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
