[发明专利]扼流电感无效
申请号: | 200910202072.3 | 申请日: | 2009-12-31 |
公开(公告)号: | CN101777552A | 公开(公告)日: | 2010-07-14 |
发明(设计)人: | 陈俊;谢利刚 | 申请(专利权)人: | 锐迪科科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/00 | 分类号: | H01L27/00;H01L23/49 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 陈平 |
地址: | 香港花园*** | 国省代码: | 中国香港;81 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 流电 | ||
技术领域
本发明涉及一种半导体芯片器件的结构,尤其是一种扼流电感。
背景技术
在现代无线通信系统中,射频功率放大器是实现射频信号无线传输的关键部件,而射频扼流圈是实现功率放大器正常工作的必要元件之一。射频扼流圈的主要功能是:1.通过射频扼流圈对功率晶体管提供直流工作电压;2.对于射频信号,射频扼流圈具有非常高的阻抗,以防止射频信号通过扼流圈泄漏。通常用Q(品质因数)值的大小来衡量其射频扼流圈性能,Q值越高越好。
现有的技术是应用电感元件作为射频扼流圈,通常称为“扼流电感”。实现的方法主要有以下几个形式:
应用SMD(Surface Mount Device),即贴片电感。
在基板上做平面螺旋电感。
在芯片上做平面螺旋电感。
但是,上述三种实现形式在实际应用和生产上都有不可避免的缺点。首先,如果采用贴片电感,如图1所示,贴片电感虽然具有很高的Q值,但元件成本很高,如果射频功率放大器采用QFN(Quad Flat No-Lead,方形扁平无引脚)封装或MLP(Micro Leadframe Package,微型引线框封装),则作为外围元件的贴片电感进一步增加了外围电路的复杂性和PCB(Print Circuit Board,印刷电路板)的面积,加大了成本。其次,如果采用在基板或芯片上所做的平面螺旋电感,如图2所示,其Q值较低,并会占用基板或芯片较大的面积,成本也随之增加。以4nH电感为例(其通常应用为900MHz射频信号的扼流电感),如在基板上实现所需面积约1.5mm2,占功放模块总面积10%,Q≈40,且功放芯片封装需选用LGA(Land Grid Array,栅格阵列)封装,其封装成本较QFN封装提高100%;如在芯片上实现所需面积约0.1mm2,占功放单芯片总面积10%,Q≈20。因此,采用现有方法都增加了生产成本,并在提高功放性能和简化外围电路两个方面不能得以兼顾。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种扼流电感,在不增加基板或芯片的面积,不增加外围元件,不影响功放性能的基础上,极大地降低生产成本,有效地简化外围电路。
为解决上述技术问题,本发明扼流电感的技术方案是,半导体芯片器件内包括基板和基板上的半导体芯片,所述基板的周边设置有半导体芯片器件的管脚,所述电感包括一个第一线圈,所述第一线圈的两端中至少第一端由半导体芯片引出,所述第一线圈的第一端通过多根键合线始终沿顺时针或逆时针方向依次连接多个管脚后,连接到第一线圈的第二端,从而使得所述第一线圈形成一个环形。
本发明既未增加芯片面积又未添加外围元件,可广泛应用于封装芯片成本较低的QFN和MLP封装之中,从而避免采用封装成本高的LGA封装。 而且绕制的电感具有较高的Q值。在不影响功放性能的基础上,极大地降低了生产成本,有效地简化了外围电路。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细的说明:
图1为现有技术中采用贴片电感的示意图;
图2为现有技术中在基板上或芯片上的平面螺旋电感的示意图;
图3为本发明扼流电感一个实施例的示意图;
图4为本发明扼流电感另一个实施例的示意图。
具体实施方式
本发明公开了一种扼流电感,如图3所示,所述半导体芯片器件内包括基板和基板上的半导体芯片,所述基板的周边设置有半导体芯片器件的管脚,所述电感包括一个第一线圈,所述第一线圈的两端中至少第一端由半导体芯片引出,所述第一线圈的第一端通过多根键合线始终沿顺时针或逆时针方向依次连接多个管脚后,连接到第一线圈的第二端,从而使得所述第一线圈形成一个环形。
所述第一线圈的第二端是半导体芯片器件的一个管脚。
所述第一线圈的第二端所在的管脚为半导体芯片器件的电源端。
所述第一线圈的第二端也从半导体芯片引出。
在本发明图3所示的实施例中,将功放芯片连接射频扼流圈处用键合线引出,键合(Bonding)至QFN或MLP封装管脚上,在QFN或MLP管脚之间依次用键合线键合,形成平面螺旋电感。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的