[发明专利]采用两次氮化硅回刻来改善浅沟隔离顶角圆化的方法

权利要求书

1.一种采用两次氮化硅回刻来改善浅沟隔离顶角圆化的方法，其特征在于，包括如下步骤：

第一步，浅沟隔离刻蚀；

第二步，缓冲氧化层切口刻蚀；

第三步，氮化硅第一次回刻；

第四步，在浅沟隔离露出的硅表面生长衬垫氧化层；

第五步，氮化硅第二次回刻。

2.如权利要求1所述的采用两次氮化硅回刻来改善浅沟隔离顶角圆化的方法，其特征在于，第一步具体为：在硅衬底上生长缓冲氧化层，在缓冲氧化层上沉积衬垫氮化硅层，然后刻蚀形成浅沟隔离。

3.如权利要求1所述的采用两次氮化硅回刻来改善浅沟隔离顶角圆化的方法，其特征在于，第二步采用湿法刻蚀工艺，采用浓度为1∶100-1∶300的氢氟酸。

4.如权利要求1所述的采用两次氮化硅回刻来改善浅沟隔离顶角圆化的方法，其特征在于，第三步采用湿法刻蚀工艺，采用热磷酸，温度为100-120摄氏度，刻蚀时间为3-7分钟。

5.如权利要求1所述的采用两次氮化硅回刻来改善浅沟隔离顶角圆化的方法，其特征在于，第四步采用高温热氧化工艺生长衬垫氧化层，工艺温度为800-1100℃，该衬垫氧化层的厚度为100-250埃。

6.如权利要求1所述的采用两次氮化硅回刻来改善浅沟隔离顶角圆化的方法，其特征在于，第五步采用湿法刻蚀工艺，采用热磷酸刻蚀氮化硅形成氮化硅底部切口，该步骤的工艺温度为100-120摄氏度，刻蚀时间为3-7分钟。