[发明专利]应用于锗硅三极管的轻掺杂二极管结构有效
| 申请号： | 200910201790.9 | 申请日： | 2009-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN102064202A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 陈雄斌;周正良 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 应用于 三极管 掺杂 二极管 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种应用于锗硅三极管的轻掺杂二极管结构，由下至上依次包括硅基片、n区、i区和p区，其特征在于，该轻掺杂二极管的p区与n区为非全包含结构，p区与n区在水平面上的投影无重叠部分，p区与n区在水平面方向上投影的间距X＞0。
2.如权利要求1所述的应用于锗硅三极管的轻掺杂二极管结构，其特征在于，所述n区与p区在水平面方向上投影的间距X由n区与p区各自相应的掩模版决定。
3.如权利要求1或2所述的应用于锗硅三极管的轻掺杂二极管结构，其特征在于，所述轻掺杂二极管的特性调整方式通过调整n区与p区在水平面方向上投影的间距X来实现。
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