[发明专利]LDMOS器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200910201692.5 | 申请日： | 2009-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN102044563A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 钱文生;吕赵鸿 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种LDMOS器件，所述LDMOS器件包含，
一具有第一导电类型的埋层；
一具有第一导电类型的深阱，形成在所述埋层上，在所述深阱中形成一第二导电类型的阱一以及一第一导电类型的阱二；
一具有第二导电类型的沟道区，形成在所述阱一中；
一具有第一导电类型的漏区，形成在所述阱二中，在所述漏区上形成一漏极；
一漂移区，由处于所述沟道区和所述漏区间的所述深阱形成；
一具有第一导电类型的源区，形成在所述沟道区中，在所述源区上形成一源极；
一浅沟槽隔离氧化层，形成在所述漂移区上靠近所述漏区端；
一栅化层，形成在所述沟道区上，所述栅氧化层覆盖全部沟道区和部分漂移区并和所述浅槽隔离氧化层相连接；
一多晶硅栅，形成在栅氧化层上，所述多晶硅栅覆盖全部所述栅氧化层和部分所述浅槽隔离氧化层；
其特征在于：在所述浅槽隔离氧化层的正下方的所述漂移区的浅表面处形成一具有第一导电类型的离子注入层。
2.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于：所述离子注入层位于所述漂移区的浅表面处的深度以保证所述离子注入层对所述LDMOS器件的击穿电压的影响能忽略为度。
3.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于：在不影响所述LDMOS器件的击穿电压的情况下，所述离子注入层的杂质离子浓度越高越好。
4.一种LDMOS器件制造方法，形成所述埋层、所述深阱、所述阱一、所述阱二、所述漏区、所述沟道区、所述源区、栅氧化层以及所述多晶硅栅，其特征在于：形成所述浅槽隔离氧化层包括如下步骤：
所述浅槽隔离氧化层的沟槽刻蚀工艺、清洗工艺；
在所述沟槽中进行所述离子注入层的离子注入工艺；
所述浅槽隔离氧化层生长的工艺；
所述离子注入层退火激活工艺。
5.如权利要求4所述的LDMOS器件制造方法，其特征在于：所述离子注入工艺离子注入的能量为100keV-500keV。
6.如权利要求4所述的LDMOS器件制造方法，其特征在于：所述离子注入工艺中所用到得注入剂量大于1e12cm-2。
7.如权利要求4所述的LDMOS器件制造方法，其特征在于：所述退火激活工艺中退火温度要小于900度，使所述离子注入层不会向所述深阱深处扩散。
8.如权利要求4所述的LDMOS器件制造方法，其特征在于：所述离子注入工艺的离子注入倾角为0-7度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910201692.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
