[发明专利]一种用于多晶硅抛光的化学机械抛光液有效
| 申请号： | 200910200823.8 | 申请日： | 2009-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN102108260A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 宋伟红;姚颖 | 申请（专利权）人： | 安集微电子(上海)有限公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;H01L21/3105;H01L21/306;H01L21/321 |
| 代理公司： | 上海翰鸿律师事务所 31246 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张江高*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 多晶 抛光 化学 机械抛光 | ||
1.一种用于多晶硅抛光的化学机械抛光液，含有磨料颗粒，表面活性剂和浆料稳定剂。
2.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，所述的磨料颗粒选自气相法二氧化硅颗粒、二氧化硅溶胶、氧化铝溶胶、氧化铈和/或高聚物颗粒中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，所述的磨料颗粒的粒径为20～200nm。
4.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，所述的磨料颗粒的质量百分含量为2～30％。
5.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，所述的表面活性剂为环氧乙烷缩聚物。
6.根据权利要求5所述的化学机械抛光液，所述的表面活性剂选自脂肪醇聚氧乙烯缩合物、脂肪胺聚氧乙烯缩合物、脂肪酸聚氧乙烯醚和/或聚乙二醇单甲醚中的一种或多种。
7.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，所述的表面活性剂的HLB值为7～15。
8.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，所述的表面活性剂的质量百分含量为0.05～1％。
9.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，所述的分散稳定剂为聚丙烯酸和/或聚丙烯酸盐。
10.根据权利要求9所述的化学机械抛光液，所述的分散稳定剂为聚丙烯酸钠和/或聚丙烯酸铵中的一种或多种。
11.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，所述的分散稳定剂为多元醇磷酸酯PAPE和/或多氨基多醚基亚甲基膦酸PAPEMP。
12.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，所述的分散稳定剂的分子量为2000～20000。
13.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，所述的分散稳定剂的质量百分含量为0.01～1％。
14.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，含有杀菌防霉剂和/或PH调节剂。
15.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，pH值为9～12。
16.一种抛光方法，所述抛光方法包括：在DRAM器件制造中的电容结构的抛光中，用权利要求1-15中任一项所述的化学机械抛光液对二氧化硅、氮化硅和/或多晶硅中的一种或多种进行抛光。
17.一种抛光方法，所述抛光方法包括：在多晶硅门(gate)结构的抛光中，用权利要求1-15中任一项所述的化学机械抛光液对二氧化硅、氮化硅和/或多晶硅中的一种或多种进行抛光。
18.一种抛光方法，所述抛光方法包括：在多晶硅塞(Plug)的抛光中，用权利要求1-15中任一项所述的化学机械抛光液对二氧化硅、氮化硅和/或多晶硅中的一种或多种进行抛光。
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