[发明专利]使用窄禁带宽度材料源极的隧穿晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200910200624.7 | 申请日： | 2009-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN101764156A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 王鹏飞;孙清清;丁士进;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/24;H01L29/10;H01L21/336;H01L27/088 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 使用 窄禁带 宽度 材料 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种隧穿场效应晶体管结构，其特征在于，该隧穿场效应晶体管的源极采用窄禁带宽度材料；并且，该晶体管采用U形沟道。
2.根据权利要求1所述的结构，所述的窄禁带宽度材料为SiGe。
3.一种隧穿场效应晶体管结构的制造方法，其特征是，包括下列步骤：
提供一个集成电路衬底；
在所述衬底上注入离子进行第一种掺杂；
利用光刻技术和刻蚀技术形成该器件的沟道结构；
依次淀积形成氧化硅介质层和高K材料介质层；
形成该器件的栅结构；
刻蚀部分高K介质层、氧化硅介质层和集成电路衬底；
选择性地生长窄禁带宽度材料；
通过离子注入进行第二种掺杂；
形成接触与互连布线。
4.根据权利要求3的方法，其特征是，第一种掺杂为n型。
5.根据权利要求3的方法，其特征是，所述的沟道结构为U形沟道结构。
6.根据权利要求3的方法，其特征是，第二种掺杂为p型。
7.一种集成电路芯片，其特征在于，该芯片上至少有一个半导体器件为权利要求1所述的隧穿场效应晶体管结构。
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