[发明专利]一种刻蚀铜的方法无效
| 申请号： | 200910200623.2 | 申请日： | 2009-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN101764085A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 王鹏飞;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种刻蚀铜的方法，其特征是，包括下列步骤：
提供一个集成电路衬底；
在所述衬底上淀积铜；
在铜上形成由第一种材料构成的第一种薄膜；
光刻后刻蚀部分第一种薄膜；
将其放在含有双氧水和臭氧的溶液中，并用光线垂直照射铜；
刻蚀部分铜；
去除第一种薄膜。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征是，所述第一种材料为碳。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征是，所述光线是紫外线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
