[发明专利]脉冲磁场条件下非晶薄带热处理工艺与装置有效
| 申请号： | 200910200524.4 | 申请日： | 2009-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN101717901A | 公开（公告）日： | 2010-06-02 |
| 发明（设计）人： | 高玉来;李仁兴;孔令鸿;龚永勇;刘正建;翟启杰 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | C22F1/00 | 分类号： | C22F1/00;C22F3/00;C21D1/00;C21D9/52 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 顾勇华 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 脉冲 磁场 条件下 非晶薄带 热处理 工艺 装置 | ||
1.一种脉冲磁场条件下非晶薄带热处理工艺，可实现单独用作普通热处理或脉冲磁场处理，也可实现普通磁场热处理的同时导入脉冲磁场，形成脉冲磁场-普通热处理复合处理，该热处理工艺的特征在于：热处理在保护气氛下进行，被处理的非晶软磁材料在室温到晶化温度Tx以上的某一温度，置于脉冲磁场发生装置中，经热处理实现非晶晶化，加热最高温度为800℃；所使用的脉冲电源参数为：输出电压U＝50～4800V，脉冲宽度200ms，作用频率f＝0.2～4Hz；脉冲磁场可产生的磁感应强度B＝0.03～3.2T。
2.一种用于权利要求1所述的脉冲磁场条件下非晶薄带热处理工艺的专用装置，其特征在于该装置由磁场线圈(1)配有水冷装置(6)、加热设备(2)、脉冲电源(3)、气氛保护系统(4)和温度控制系统(5)所组成，脉冲电源(3)由开关(11)、电容(12)和充电系统(13)构成，电容(12)通过开关(11)由导线(8)和磁场线圈(14)相连，形成闭合回路；工作时，电容(12)对磁场线圈(14)放电，在磁场线圈(14)内部产生脉冲磁场；热处理时将薄带放置在石英管(10)底部，石英管(10)放置在磁场线圈(1)的均磁段和加热设备(2)的恒温段的重叠部分，气氛保护系统(4)通过气管(9)与石英管(10)相通，温度控制系统(5)通过插入石英管(10)底部的控温热电偶(7)控制石英管(10)内的温度。
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