[发明专利]晶圆清洗方法有效
| 申请号： | 200910199225.3 | 申请日： | 2009-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN102074453A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 刘焕新;卢炯平 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 清洗 方法 | ||
1.一种晶圆清洗方法，其特征在于，包括：
对晶圆裸片进行第一清洗，所述第一清洗采用的清洗剂包括氨水+双氧水稀释后的溶液以及盐酸+双氧水稀释后的溶液的组合；
在第一清洗之后，在晶圆裸片表面形成氧化层，所述氧化层的厚度小于或等于50埃；
继续对具有氧化层的晶圆片进行第二清洗，所述第二清洗采用的清洗剂包括含氢氟酸的清洗剂。
2.如权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，氨水+双氧水稀释后的溶液中NH3∶H2O2∶H2O的质量比为1∶1～2∶50～200。
3.如权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，盐酸+双氧水稀释后的溶液中HCl∶H2O2∶H2O的质量比为1∶1∶50～200。
4.如权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，形成氧化层采用炉管热氧化的方法，反应温度为700～850℃。
5.如权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述氧化层的厚度为50埃。
6.如权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述第二清洗包括：
以稀释的硫酸清洗具有氧化层的晶圆片；
以稀释的氢氟酸清洗所述晶圆片；
以氨水+双氧水稀释后的溶液清洗所述晶圆片；
以盐酸+双氧水稀释后的溶液清洗所述晶圆片。
7.如权利要求6所述的晶圆清洗方法，其特征在于，稀释的硫酸中H2SO4∶H2O的质量比为4～6∶1，温度为120～150℃。
8.如权利要求7所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述稀释的硫酸清洗的时间为5～10分钟。
9.如权利要求6所述的晶圆清洗方法，其特征在于，稀释的氢氟酸中HF∶H2O的质量比为1∶200～400，温度为25～30℃。
10.如权利要求6所述的晶圆清洗方法，其特征在于，氨水+双氧水稀释后的溶液中NH3∶H2O2∶H2O的质量比为1∶1～2∶50～200，温度为25～30℃。
11.如权利要求10所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述氨水+双氧水稀释后的溶液清洗的时间为5～10分钟。
12.如权利要求6所述的晶圆清洗方法，其特征在于，盐酸+双氧水稀释后的溶液中HCl∶H2O2∶H2O的质量比为1∶1∶50～200，温度为25～30℃。
13.如权利要求12所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述盐酸+双氧水稀释后的溶液清洗的时间为5～10分钟。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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