[发明专利]CMOS图像传感器的制作方法有效
| 申请号： | 200910198568.8 | 申请日： | 2009-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN102054771A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 邹立;罗飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 制作方法 | ||
1.一种CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有用于隔离有源区的隔离结构，所述的有源区包括用于形成MOS晶体管的区域和用于形成发光二极管的区域；
在所述半导体衬底的用于形成MOS晶体管的区域上形成栅极结构；
在所述半导体衬底的用于形成发光二极管的区域上形成不连续分布的第一氧化层；
在所述的半导体衬底以及第一氧化层上形成第二氧化层，并在所述的第二氧化层上形成暴露出发光二极管区域的第一光刻胶图案层；
以所述的第一光刻胶图案层为掩膜，进行第一离子注入，形成与半导体衬底掺杂类型相反的第一掺杂区域；
去除所述第一光刻胶图案层，并在所述的栅极结构侧壁形成覆盖第二氧化层的侧墙；
在所述的半导体衬底上形成暴露出发光二极管区域的第二光刻胶图案层；
以所述的第二光刻胶图案层为掩膜，进行第二离子注入，形成与第一掺杂区域的掺杂类型相反的覆盖层，去除所述第二光刻胶图案层。
2.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，所述第一氧化层为氧化硅。
3.根据权利要求2所述的CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，所述第一氧化层的厚度为200至500埃。
4.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，所述半导体衬底为P型掺杂，所述第一掺杂区域为N型掺杂，所述覆盖层为P型掺杂。
5.根据权利要求4所述的CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，所述第一掺杂区域的掺杂离子为磷离子。
6.根据权利要求5所述的CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，磷离子的注入工艺为：离子注入能量为150至200Kev，离子注入剂量为3E12至3E13atoms/cm2。
7.根据权利要求4所述的CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，所述覆盖层为P型掺杂离子为氟化硼离子。
8.根据权利要求7所述的CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，氟化硼离子的注入工艺为：掺杂能量为10至60Kev，离子注入剂量为2E12至2E13atoms/cm2。
9.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，所述侧墙为氮化硅-氧化硅的复合结构。
10.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，所述第二氧化层材料为氧化硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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