[发明专利]金属互连线的制造方法无效
| 申请号： | 200910198563.5 | 申请日： | 2009-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN102054754A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 江志琴 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 互连 制造 方法 | ||
1.一种金属互连线的制造方法，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上依次形成介质层和停止层；
在所述停止层上形成图案化的抗蚀剂层；
以所述图案化的抗蚀剂层为掩膜，刻蚀所述停止层和所述介质层，直至暴露出所述半导体衬底，以形成开口；
在所述停止层上形成金属层，所述金属层填满所述开口；
利用化学机械研磨的方式去除所述停止层和所述开口外的金属层，以形成金属互连线。
2.如权利要求1所述的金属互连线的制造方法，其特征在于，所述停止层的材质为二氧化硅或氮化硅。
3.如权利要求1或2所述的金属互连线的制造方法，其特征在于，所述停止层是通过化学气相沉积方式形成。
4.如权利要求3所述的金属互连线的制造方法，其特征在于，所述停止层的厚度为400～
5.如权利要求1所述的金属互连线的制造方法，其特征在于，所述介质层包括阻挡层以及位于所述阻挡层之上的绝缘层。
6.如权利要求5所述的金属互连线的制造方法，其特征在于，所述阻挡层的材质为掺杂氮的碳化硅。
7.如权利要求5或6所述的金属互连线的制造方法，其特征在于，所述阻挡层是通过化学气相沉积方式形成。
8.如权利要求7所述的金属互连线的制造方法，其特征在于，所述阻挡层的厚度为300～
9.如权利要求5所述的金属互连线的制造方法，其特征在于，所述绝缘层的材质为掺杂碳的二氧化硅。
10.如权利要求5或9所述的金属互连线的制造方法，其特征在于，所述绝缘层是通过化学气相沉积方式形成。
11.如权利要求10所述的金属互连线的制造方法，其特征在于，所述绝缘层的厚度为2300～
12.如权利要求11所述的金属互连线的制造方法，其特征在于，所述金属层的材质是铜。
13.如权利要求12所述的金属互连线的制造方法，其特征在于，所述金属层是通过电镀方式形成。
14.如权利要求13所述的金属互连线的制造方法，其特征在于，在所述停止层上形成金属层之前，还包括：利用氧气等离子灰化工艺去除所述图案化的抗蚀剂层的步骤。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
