[发明专利]互补金属氧化物半导体结构的制作方法

权利要求书

1.一种互补金属氧化物半导体结构的制作方法，该方法包括：

在硅片的半导体衬底上形成具有N型金属氧化物半导体NMOS结构的第一区域和具有P型金属氧化物半导体PMOS结构的第二区域；

在硅片表面依次沉积具有张应力的氮化硅层和硬掩膜氧化层，并在第一区域上的硬掩膜氧化层表面形成第一光刻胶层；

在第一光刻胶层的保护下，刻蚀掉第二区域上的硬掩膜氧化层，并在刻蚀完成后去除第一光刻胶层；

在第一区域上的硬掩膜氧化层的保护下，分三次刻蚀掉第二区域上的具有张应力的氮化硅层；其中，通过将每次刻蚀过程中的偏置电压设置为预定取值，控制第一次刻蚀和第三次刻蚀主要进行纵向刻蚀，第二次刻蚀主要进行横向刻蚀；

在硅片表面沉积具有压应力的氮化硅层，并在第二区域上的具有压应力的氮化硅层表面形成第二光刻胶层；

在第二光刻胶层的保护下，刻蚀掉第一区域上的具有压应力的氮化硅层，并在刻蚀完成后去除第二光刻胶层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一次刻蚀和第三次刻蚀时，所述偏置电压设置为200～300伏；所述第二次刻蚀时，所述偏置电压设置为0～50伏。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一次刻蚀时，反应腔内的压力为60～80毫托，源功率为550～750瓦，反应腔内的静电吸盘上的温度为50～70摄氏度，刻蚀时间为10～20秒，刻蚀气体为由二氟甲烷CH₂F₂、三氟甲烷CHF₃以及氧气O₂组成的混合气体。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二次刻蚀时，反应腔内的压力为60～80毫托，源功率为550～750瓦，反应腔内的静电吸盘上的温度为50～70摄氏度，刻蚀时间为5～15秒，刻蚀气体为由CH₂F₂、CHF₃以及O₂组成的混合气体。

5.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述CH₂F₂和CHF₃的流量为80～100标准立方厘米每分钟；所述O₂的流量为110～130标准立方厘米每分钟。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第三次刻蚀时，反应腔内的压力为20～30毫托，源功率为300～500瓦，反应腔内的静电吸盘上的温度为30～50摄氏度，刻蚀时间为40～50秒，刻蚀气体为由氟甲烷CH₃F、氦气He以及O₂组成的混合气体。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述CH₃F的流量为190～210标准立方厘米每分钟，所述O₂的流量为115～135标准立方厘米每分钟，所述He的流量为440～460标准立方厘米每分钟。