[发明专利]包含超晶格隔离层的大晶格失配外延材料缓冲层结构及其制备有效
| 申请号： | 200910198257.1 | 申请日： | 2009-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN101814429A | 公开（公告）日： | 2010-08-25 |
| 发明（设计）人： | 顾溢;张永刚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 黄志达;宋缨 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 包含 晶格 隔离 失配 外延 材料 缓冲 结构 及其 制备 | ||
1.一种采用分子束外延方法制备大晶格失配外延材料缓冲层的方法，所述大晶格失配外延材 料缓冲层为在InP衬底上生长In0.8Ga0.2As所采用的缓冲层，其中插入2层无应变超晶格隔离 层，每层无应变超晶格隔离层为InxAl1-xAs/InxGa1-xAs，0＜x＜1，包括以下具体步骤：
(1)在正式生长之前通过预备生长确定在InP衬底上生长晶格匹配的In0.53Ga0.47As时的束源炉 温度；
(2)由与InP衬底晶格匹配的In0.53Ga0.47As材料的生长开始，通过同时升高In束源温度和降低 Ga束源温度，将组分渐变至In0.62Ga0.38As，生长时间1750秒，厚度为0.5±0.02μm；
(3)生长10周期In0.62Al0.38As/In0.62Ga0.38As超晶格，每周期中InAlAs和InGaAs厚度均为5nm；
(4)继续生长组分渐变InGaAs缓冲层，通过同时升高In束源温度和降低Ga束源温度，将组 分渐变至In0.71Ga0.29As，生长时间1750秒，生长厚度为0.5±0.02μm；
(5)生长10周期In0.71Al0.29As/In0.71Ga0.29As超晶格，每周期中InAlAs和InGaAs厚度均为5nm；
(6)最后再生长0.5±0.02μm厚的组分渐变InGaAs缓冲层，通过同时升高In束源温度和降低 Ga束源温度，将组分渐变至In0.8Ga0.2As，生长时间1750秒，生长厚度为0.5±0.02μm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
