[发明专利]锗硅薄膜制备方法以及半导体器件制作方法有效

申请号：	200910197453.7	申请日：	2009-10-20
公开（公告）号：	CN102044419A	公开（公告）日：	2011-05-04
发明（设计）人：	何有丰;胡亚兰	申请（专利权）人：	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号：	H01L21/205	分类号：	H01L21/205;H01L21/324
代理公司：	北京集佳知识产权代理有限公司 11227	代理人：	李丽
地址：	201203 ***	国省代码：	上海;31
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摘要：
搜索关键词：	薄膜制备方法以及半导体器件制作方法
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【权利要求书】：

1.一种锗硅薄膜制备方法，其特征在于，至少包括：

提供衬底，所述衬底表面形成有栅极以及位于栅极两侧的补偿层；

在所述补偿层远离所述栅极的一侧衬底中刻蚀形成凹槽；

采用828摄氏度至850摄氏度的温度，对所述凹槽进行烘烤，接着，形成覆盖所述凹槽的锗硅层。

2.如权利要求1所述的锗硅薄膜制备方法，其特征在于，所述烘烤时间为60秒至120秒。

3.如权利要求2所述的锗硅薄膜制备方法，其特征在于，所述烘烤时间为90秒。

4.如权利要求2所述的锗硅薄膜制备方法，其特征在于，所述凹槽通过干法刻蚀方法形成。

5.如权利要求1所述的锗硅薄膜制备方法，其特征在于，所形成的锗硅层侧壁与底部的夹角介于90度到135.5度之间。

6.如权利要求1所述的锗硅薄膜制备方法，其特征在于，形成所述锗硅层的工艺条件为：压力为5Torr至50Torr，温度为600摄氏度至800摄氏度，采用流量为50sccm至150sccm的SiH₄或者SiH₂Cl₂作为硅源，以及流量为5sccm至100sccm的含锗混合气体作为锗源，其中，GeH₄占10％，而H₂占90％。

7.如权利要求6所述的锗硅薄膜制备方法，其特征在于，在形成所述锗硅层的过程中，采用流量为50～200sccm的HCl作为锗硅层的清除气体。

8.一种半导体器件制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底表面形成有栅极以及位于栅极两侧的补偿层；

在所述补偿层远离所述栅极一侧形成侧墙；

在所述侧墙远离所述栅极的一侧衬底中刻蚀形成凹槽；

采用828摄氏度至850摄氏度的温度条件，对所述凹槽进行烘烤，接着，

形成覆盖所述凹槽的锗硅层；

对所述锗硅层进行离子掺杂，以形成有源区。

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