[发明专利]芯片的清洗方法有效
| 申请号： | 200910197445.2 | 申请日： | 2009-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN102044407A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 曹韵 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;B08B3/08;B08B3/10;B08B3/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 清洗 方法 | ||
1.一种芯片的清洗方法，包括：
提供待清洗的芯片，所述芯片表面具有待去除的有机物和微小颗粒物；
将所述待清洗的芯片置放于有机溶剂中进行有机溶剂清洗；
将经过溶剂清洗后的芯片进行灰化处理；
将灰化后的芯片采用去离子水进行去离子水清洗。
2.根据权利要求1所述的芯片的清洗方法，其特征在于，所述有机溶剂是胺碱。
3.根据权利要求2所述的芯片的清洗方法，其特征在于，有机溶剂清洗过程中，有机溶剂的温度范围为40℃～75℃。
4.根据权利要求3所述的芯片的清洗方法，其特征在于，有机溶剂清洗过程中，待清洗的芯片在有机溶剂中清洗时间为5分钟～40分钟。
5.根据权利要求1所述的芯片的清洗方法，其特征在于，有机溶剂清洗过程中，加载有超声波。
6.根据权利要求5所述的芯片的清洗方法，其特征在于，所述超声波功率为40W～50W。
7.根据权利要求1所述的芯片的清洗方法，其特征在于，所述有机物包括有机膜和有机胶。
8.根据权利要求7所述的芯片的清洗方法，其特征在于，所述有机膜和有机胶均为压克力树脂、醋酸乙烯压克力共聚合树脂或醋酸乙烯树脂。
9.根据权利要求1所述的芯片的清洗方法，其特征在于，所述灰化处理的灰化气体为氧气；所述氧气的流量为400～1000sccm；灰化的时间范围为20～150秒；灰化环境的压力范围为10～20Torr；温度范围为200～350℃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
