[发明专利]一种等离子体浸没注入剂量标定方法

权利要求书

1、一种等离子体浸没注入剂量标定的方法，其特征在于首先通过示波器实时测定离子注入脉冲的电压电流，在高压脉冲电源和等离子腔体以及靶台两端形成的电路回路，从高压探头处测定脉冲电压，在回路线路中测定相应脉冲内的回路电流；然后采用积分回路电流并除去二次电子贡献进行注入剂量计算；其计算的公式为Dim=δtf∫0tpIdt/eη0A,]]>其中η₀为离子注入的二次电子产生效率，δ为不同条件下二次电子产生效率的修正因子，它与不同的离子注入类型并且和不同的注入参数设置相关，t_p为脉冲电压脉宽，I为实测电流，e为注入离子电量，A为靶材面积，t为整体注入时间，f为脉冲电压频率，D_im为单位面积离子注入剂量。

2、如权利要求1所述的离子注入剂量标定方法，其特征在于δ为注入参数的函数，具体形式表示为δ＝α(V/V₀)β(t_p/t_p0)γ(f/f₀)，其中，α、β、γ分别为二次电子效率与电压、脉宽和频率相关的修正因子；V₀、t_p0和f₀为对应η₀条件下的电压、脉宽和频率。

3、如权利要求2所述的离子注入剂量标定方法，其特征在于δ＝α(V/V₀)＝m(V/V₀)ⁿ，则有离子注入剂量标定公式Dim=m(V/V0)ntf∫0tpIdt/eη0A,]]>通过m，n系数的拟合，即可以在不同注入条件下简便准确地标定等离子体浸没注入的剂量。