[发明专利]共享存储单元的分栅式闪存

权利要求书

1.一种共享存储单元的分栅式闪存，其特征在于，包括：

半导体衬底，其上具有间隔设置的源极区域和漏极区域；

沟道区，位于所述源极区域和漏极区域之间；

存储单元，位于所述沟道区上方；

字线，位于所述存储单元上方；

第一选择栅和第二选择栅，分别位于所述字线和存储单元两侧，

其中，所述存储单元包括第一存储部分和第二存储部分，所述第一存储部 分邻近第一选择栅，所述第二存储部分邻近第二选择栅，所述存储单元为纳米 晶存储单元。

2.根据权利要求1所述的共享存储单元的分栅式闪存，其特征在于，分别 对所述字线、所述第一选择栅、所述第二选择栅、所述源极区域和所述漏极区 域施加第一存储部分读取电压，实现第一存储部分读取。

3.根据权利要求2所述的共享存储单元的分栅式闪存，其特征在于，对所 述字线、所述第一选择栅、所述第二选择栅、所述源极区域和所述漏极区域施 加的第一存储部分读取电压分别为2.5V、2V、4V、0V和1V，实现第一存储部 分读取。

4.根据权利要求1所述的共享存储单元的分栅式闪存，其特征在于，分别 对所述字线、所述第一选择栅、所述第二选择栅、所述源极区域和所述漏极区 域施加第二存储部分读取电压，实现第二存储部分读取。

5.根据权利要求4所述的共享存储单元的分栅式闪存，其特征在于，对所 述字线、所述第一选择栅、所述第二选择栅、所述源极区域和所述漏极区域施 加的第二存储部分读取电压分别为2.5V、4V、2V、1V和0V，实现第二存储部 分读取。

6.根据权利要求1所述的共享存储单元的分栅式闪存，其特征在于，分别 对所述字线、所述第一选择栅、所述第二选择栅、所述源极区域和所述漏极区 域施加第一存储部分编程电压，实现第一存储部分编程。

7.根据权利要求6所述的共享存储单元的分栅式闪存，其特征在于，对所 述字线、所述第一选择栅、所述第二选择栅、所述源极区域和所述漏极区域施 加的第一存储部分编程电压分别为8V、1.4V、5V、0V和4V，实现第一存储部 分编程。

8.根据权利要求1所述的共享存储单元的分栅式闪存，其特征在于，分别 对所述字线、所述第一选择栅、所述第二选择栅、所述源极区域和所述漏极区 域施加第二存储部分编程电压，实现第二存储部分编程。

9.根据权利要求8所述的共享存储单元的分栅式闪存，其特征在于，对所 述字线、所述第一选择栅、所述第二选择栅、所述源极区域和所述漏极区域施 加的第二存储部分编程电压分别为8V、5V、1.4V、4V和0V，实现第二存储部 分编程。

10.根据权利要求1所述的共享存储单元的分栅式闪存，其特征在于，分别 对所述字线、所述第一选择栅、所述第二选择栅、所述源极区域和所述漏极区 域施加存储单元擦除电压，实现第一存储部分和第二存储部分擦除。

11.根据权利要求10所述的共享存储单元的分栅式闪存，其特征在于，对 所述字线、所述第一选择栅、所述第二选择栅、所述源极区域和所述漏极区域 施加的存储单元擦除电压分别为-5V、F、F、F和F，实现第一存储部分和第二 存储部分擦除。