[发明专利]一种复合相变材料靶材及其制备方法

权利要求书

1.一种复合相变材料靶材，其由相变材料与另外一种材料复合而成，其特 征在于：两种材料中熔点较高的材料为基体，在基体上设有大小形状相同 且分布均匀的小孔；熔点较低的材料填充于小孔中与所述熔点较高的材料 结合为一体；所述基体为圆柱状，所述小孔为圆柱状，所述小孔直径为 0.5-50μm，深度为0.5-50μm。

2.根据权利要求1所述的复合相变材料靶材，其特征在于：所述基体的上 表面与填充于小孔中的材料的上表面齐平。

3.根据权利要求1所述的复合相变材料靶材，其特征在于：所述的相变材 料为硫系化合物相变材料。

4.根据权利要求1所述的复合相变材料靶材，其特征在于：所述的相变材 料为锗锑碲合金，或锑碲合金，或锗锑合金。

5.根据权利要求1所述的复合相变材料靶材，其特征在于：所述的另外一 种材料为非相变材料。

6.根据权利要求5所述的复合相变材料靶材，其特征在于：所述的另外一 种材料为Si、Sn、SiO₂、HfO₂中的一种。

7.根据权利要求1所述的复合相变材料靶材的应用，其特征在于：该靶材 用于制备基于硫系化合物的相变存储器。

8.根据权利要求7所述的复合相变材料靶材的应用，其特征在于：所述的 相变存储器为采用能量粒子编程的存储器。

9.根据权利要求7所述的复合相变材料靶材的应用，其特征在于：所述的 相变存储器为采用电脉冲编程的硫系化合物随机存储器，或采用激光脉冲 编程的存储光盘，或采用电子束编程的存储器。

10.一种权利要求1所述复合相变材料靶材的制备方法，该靶材包括相变材 料及非相变材料，其特征在于，该方法包括以下步骤：

1)将其中熔点较高的材料制备成圆柱状作为基体；

2)采用刻蚀工艺在此基体上制备出大小形状相同且分布均匀的圆柱 状小孔；其直径为0.5-50μm，深度为0.5-50μm；

3)将熔点较低的材料填充在所述柱状小孔中，通过热压烧结工艺使两 种材料结合在一起；

4)采用机械抛光的方式处理表面，得到光滑、均匀致密的复合相变材 料靶材。

11.根据权利要求10所述的复合相变材料靶材的制备方法，其特征在于： 步骤3)中采用真空热压烧结法使两种材料结合在一起。

12.根据权利要求10所述的复合相变材料靶材的制备方法，其特征在于： 所述非相变材料为Si、Sn、SiO₂、HfO₂中的一种。

13.根据权利要求10所述的复合相变材料靶材的制备方法，其特征在于： 所述相变材料为锗锑碲合金、锑碲合金、锗锑合金中的一种。