[发明专利]一种在衬底上选择性原子层淀积薄膜的方法

权利要求书

1.一种在衬底上选择性原子层淀积薄膜的方法，其特征在于，针对由半导体晶片和不同密度图形的氧化物薄膜组成的衬底，在生长过程中，将衬底加热到预定温度，利用原子层淀积的方法在表面生长薄膜，通过在原子层淀积的反应前体中掺杂一种气体或者在工艺过程中独立的引入一种气体的脉冲来实现在氧化层上薄膜生长的抑制效应；所述的抑制效应是在半导体表面进行选择性的薄膜生长而在绝缘体表面不发生生长。

2.按权利要求1所述的在衬底上选择性原子层淀积薄膜的方法，其特征在于，所述的气体为HCl，其对绝缘体表面生长的薄膜的刻蚀速率大于在半导体表面上生长的薄膜的刻蚀速率。

3.按权利要求1所述的在衬底上选择性原子层淀积薄膜的方法，其特征在于，所说的衬底包括硅和氧化物表面。

4.按权利要求1所述的在衬底上选择性原子层淀积薄膜的方法，其特征在于，所说的生长的薄膜是硅。

5.按权利要求4所述的方法，其特征在于，所说的硅薄膜通过原子层淀积的方法制备，其中所使用的反应前体选自SiH2Cl2，SiH4，SiHCl3，SiH3Cl，SiCl4或Si2H6。

6.按权利要求1所述的方法，其特征在于，所说的生长的薄膜是锗硅。

7.按权利要求6所述的方法，其特征在于，所说的生长的锗硅薄膜通过原子层淀积方法制备，其反应前体至少含有GeH4或Ge2H6。

8.按权利要求1所述的方法，其特征在于，所说的HCl在原子层淀积工艺中是经过等离子体化的。

9.按权利要求8所述的方法，其特征在于，所说的等离子体化的HCl是在原子层淀积反应腔中等离子体化的。

10.按权利要求8所述的方法，其特征在于，所说的等离子体化的HCl是在分立的腔体中等离子化，然后通入到原子层淀积反应腔。

11.按权利要求1所述的方法，其特征在于，所说的通入的气体通过与原子层淀积过程中的只要一种反应前体一起通入到反应腔中，然后形成所需要的薄膜。

12.按权利要求1所述的方法，其特征在于，所说的通入的气体源至少与原子层淀积中所使用的反应源的一种的脉冲过程在时间上有重叠。

13.按权利要求1所述的方法，其特征在于，所说的通入的气体源与原子层淀积中所使用的任何一种反应源在脉冲过程在时间上均没有重叠。

14.按权利要求1所述的方法，其特征在于，其中制备的薄膜还包括在制备过程中引入另外的反应前体，用于掺杂，实现薄膜的实时掺杂。

15.按权利要求14所述的方法，其特征在于，所说的掺杂至少包括PH3和AsH3来实现n-型掺杂。

16.按权利要求14所述的方法，其特征在于，所说的掺杂至少包括B2H6来实现p-型掺杂。

17.按权利要求14所述的方法，其特征在于，所说的通入的掺杂用反应前体至少通过跟原子层淀积用的反应前体的一种一起通入到反应腔中。

18.按权利要求14所述的方法，其特征在于，所说的通入的掺杂用反应前体跟任何一种原子层淀积用的反应前体都不同时通入到反应腔中。