[发明专利]金属层互连制作方法无效
| 申请号： | 200910196469.6 | 申请日： | 2009-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN101673707A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 李健康;李志国;王雷;刘宪周 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人： | 郑 玮 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 互连 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种金属层互连制作方法，其特征在于，其包括以下步骤：
在层间介质中制作连接相邻金属层的通孔；
在层间介质上淀积钛Ti薄膜，在Ti薄膜上淀积TiN膜层，该TiN膜层具有一定厚度；
淀积钨填充所有通孔并覆盖在TiN膜层的表面；
以TiN膜层为停止层，通过机械化学平坦化抛光钨；
淀积金属层；
通过光刻在金属层上制出金属连线图形；
刻蚀制出金属连线。
2、如权利要求1所述的金属层互连制作方法，其特征在于，所述层间介质为氧化层。
3、如权利要求1所述的金属层互连制作方法，其特征在于，所述TiN膜层的厚度为1400～1600埃。
4、如权利要求3所述的金属层互连制作方法，其特征在于，所述TiN膜层的厚度为1500埃。
5、如权利要求1所述的金属层互连制作方法，其特征在于，所述金属层为Al层或Cu层。
6、如权利要求1所述的金属层互连制作方法，其特征在于，所述刻蚀制出金属连线中刻蚀掉金属层、TiN膜层和Ti薄膜，直至露出层间介质。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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