[发明专利]在硅片上制备抗反射层的方法

权利要求书

1.一种在硅片上制备抗反射层的方法，其特征在于该方法包括以下具体步 骤：

第一步，制备绒面

选用工业生产上使用的单晶硅片，采用标准清洗工艺对硅片进行清洗；

a、配制溶液：

粗抛液：常温常压下，配制浓度为11％～13％的NaOH溶液；

制绒液：常温常压下，先配制浓度为2％～3％的NaOH溶液，浓度为1mol/L 的酒精，浓度为1.5％的Na₂SiO₃溶液，再将这三种溶液和浓度为99％的异丙醇以 体积比为1∶1∶1∶0.09混合；

b、将上述粗抛液加热至83℃～86℃，然后将经清洗后的硅片置入粗抛液中 反应2～3.5min；去除单晶硅片表面的机械损伤层和氧化层；

c、将上述制绒液加热至75℃～77℃，将硅片置入制绒液中反应20～30min， 形成绒面结构；

第二步，电化学刻蚀

a、常温常压下配制饱和食盐水溶液和刻蚀溶液，刻蚀液分别由浓度为40％ 氢氟酸、99.5％酒精及去离子水以体积比为1∶4∶5～1∶1∶2混合或者刻蚀液 分别由40％氢氟酸、99％二甲基甲酰胺及去离子水以体积比为1∶4∶5～1∶1∶2 混合；并在刻蚀液中加入0.3～0.5mol/L的异丙醇；

b、将硅片装入电化学刻蚀反应装置中，使硅片一面接触饱和食盐水，另一 面接触上述刻蚀液，饱和食盐水接电极正极，刻蚀液接电极负极，反应装置由 控制系统控制，在控制系统工作界面设定电化学刻蚀参数，开启控制系统，进 行电化学刻蚀，其刻蚀条件为：刻蚀电流密度为14～21mA/cm²，刻蚀时间为3～ 10分钟；

c、电化学刻蚀结束后，将硅片取下在去离子水中冲洗，在硅片接触刻蚀液 的一面制成一种抗反射层；

其中：所述电化学刻蚀反应装置由一卧式腐蚀槽及控制系统组成，卧式腐 蚀槽由两槽体经法兰连接构成，其槽体材料为聚四氟乙烯，两槽体间设有密封 圈，一槽体内设置饱和食盐水溶液并接电极正极、一槽体内设置刻蚀液并接电 极负极，在内置饱和食盐水溶液的槽体外设有照明光源，控制系统连接电极正 负极。