[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200910195865.7 | 申请日： | 2009-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102024849A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 陈勇;何永根 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L27/092;H01L21/8238;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 谢安昆;宋志强 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
1.一种金属氧化物半导体场效应晶体管，包括硅基底，以及由被掺杂的硅锗聚合物构成的源极和漏极，其特征在于，所述硅基底和源极之间，以及硅基底和漏极之间包括由锗等离子体注入形成的缓冲层。
2.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，所述形成所述缓冲层的锗等离子体的注入剂量为1×1014/cm2至5×1014/cm2，能量为1千电子伏至5千电子伏。
3.一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法，包括如下步骤：
硅基底上通过离子注入方法形成N型阱和P型阱，在所形成N型阱或P型阱的上面堆叠多晶硅栅极；
在多晶硅栅极两侧构造硅基底凹陷；
将锗等离子体注入硅基底的凹陷处；
对晶圆进行高温热处理，以修复锗等离子体注入对硅基底造成的损伤；
在晶圆上沉积高锗浓度的硅锗聚合体，以所述硅锗聚合体为基础构造源极和漏极；
对晶圆进行毫秒级退火处理。
4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述注入硅基底的凹陷处的锗等离子体的剂量为1×1014/cm2至5×1014/cm2，能量为1千电子伏至5千电子伏。
5.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述高温热处理温度为950～1100℃，热处理时间为10～30s。
6.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述硅锗聚合体中锗的浓度为10％至30％。
7.根据权利要求3至6任一项所述的制造方法，其特征在于，所述以硅锗聚合体为基础构造源极和漏极包括：
向所述硅锗聚合体中注入高浓度的阳离子或阴离子。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910195865.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：薄膜太阳能电池背电极
- 下一篇：卡匣搬送装置
- 同类专利
- 专利分类
