[发明专利]具有低温p型GaN层的氮化镓系发光二极管

权利要求书

1.一种氮化镓系发光二极管，其包括：

衬底；

缓冲层，其位于所述衬底上；

n型接触层，其位于所述缓冲层上，由n型氮化镓构成；

活性发光层，其位于所述n型接触层上并覆盖所述n型接触层的部分表面，所述活性发光层是由氮化铟镓薄层和氮化镓薄层交互层叠形成的多量子阱结构所构成；

负电极，其位于所述n型接触层未被所述活性发光层覆盖的上表面上；

p型电子阻挡层，其位于所述活性发光层上，由氮化铝镓构成；

p型接触层，其位于所述p型电子阻挡层上，由p型氮化镓构成；以及

正电极，其位于所述p型接触层上并覆盖所述p型接触层的部分表面；其特征在于，

所述氮化镓系发光二极管还包括厚度为20nm～100nm的低温p型氮化镓层，所述低温p型氮化镓层在所述活性发光层与所述p型电子阻挡层之间，并且所述低温p型氮化镓层的下表面与所述活性发光层中的氮化镓薄层接触。

2.如权利要求1所述的氮化镓系发光二极管，其特征在于，所述低温p型氮化镓层的生长温度为600℃～900℃。

3.如权利要求1或2所述的氮化镓系发光二极管，其特征在于，所述低温p型氮化镓层以二茂镁为p型掺杂剂，并且二茂镁的掺杂浓度为10¹⁹～10²¹cm^-3。

4.如权利要求1或2所述的氮化镓系发光二极管，其特征在于，所述活性发光层由4～15个周期数的氮化镓与氮化铟镓的薄层组成，其总厚度为30～200nm，其中每一氮化镓薄层的厚度为4～20nm；每一氮化铟镓薄层的厚度为1～4nm，并且由In_xGa_1-xN所构成，其中0.1＜x＜0.3。

5.如权利要求1或2所述的氮化镓系发光二极管，其特征在于，所述p型电子阻挡层的生长温度为700℃～1000℃。

6.如权利要求1或2所述的氮化镓系发光二极管，其特征在于，所述p型电子阻挡层的厚度为10～50nm。

7.如权利要求1或2所述的氮化镓系发光二极管，其特征在于，所述p型电子阻挡层由p型Al_xGa_1-xN构成，其中0.1≤x＜0.2。

8.如权利要求1或2所述的氮化镓系发光二极管，其特征在于，所述p型电子阻挡层以二茂镁为p型掺杂剂，并且二茂镁的掺杂浓度为10¹⁹～10²¹cm^-3。

9.如权利要求1或2所述的氮化镓系发光二极管，其特征在于，所述n型接触层以硅烷为n型掺杂剂，并且硅烷的掺杂浓度为10¹⁸cm^-3以上。

10.如权利要求1或2所述的氮化镓系发光二极管，其特征在于，所述p型接触层以二茂镁为p型掺杂剂，并且二茂镁的掺杂浓度为10¹⁹～10²¹cm^-3。

11.如权利要求1或2所述的氮化镓系发光二极管，其特征在于，所述衬底由C-面、R-面或A-面的氧化铝单晶、6H-SiC、4H-SiC、或晶格常数接近于氮化物半导体的单晶氧化物所制成。

12.如权利要求1或2所述的氮化镓系发光二极管，其特征在于，所述缓冲层由氮化镓系材质构成。