[发明专利]氧化物层及包含其的闪存的栅极的制作方法

权利要求书

1.一种氧化物层的制作方法，包括：

提供氮化物层；

对所述氮化物层进行等离子表面处理；

利用高深宽比工艺步骤形成氧化物层。

2.根据权利要求1所述的氧化物层的形成方法，其特征在于，所述等离子表面处理是：臭氧(O₃)等离子清洗工艺。

3.根据权利要求2所述的氧化物层的形成方法，其特征在于，所述臭氧(O₃)等离子清洗工艺中的气体为臭氧和氩气的混合气体。

4.根据权利要求3所述的氧化物层的形成方法，其特征在于，所述臭氧(O₃)等离子清洗工艺的工艺时间为60-120秒。

5.根据权利要求4所述的氧化物层的形成方法，其特征在于，所述臭氧(O₃)等离子清洗工艺的温度为400-480度。

6.根据权利要求5所述的氧化物层的形成方法，其特征在于，所述臭氧(O₃)等离子清洗工艺臭氧的气体压强为266.644帕-1066.576帕。

7.根据权利要求1所述的氧化物层的形成方法，其特征在于，所述等离子表面处理是：氧气(O₂)等离子清洗工艺或臭氧加紫外线(UV)清洗工艺。

8.一种闪存的栅极的制作方法，包括：

提供衬底，所述衬底内形成有沟槽，在所述沟槽之间的衬底上形成隧道氧化物膜，所述隧道氧化物膜上具有浮置栅极，在所述沟槽内形成有隔离膜，所述隔离膜等于或略高于所述隧道氧化物膜；

在所述隔离膜和所述浮置栅极上形成电介质膜和控制栅层，其中，形成所述电介质膜包括形成第一氧化物层和氮化物层，对所述氮化物层进行等离子表面处理，利用高深宽比工艺步骤形成第二氧化物层。

9.根据权利要求8所述的闪存的栅极的制作方法，其特征在于，所述沟槽的坡度小于86度，呈V字形。

10.根据权利要求9所述的闪存的栅极的制作方法，其特征在于，在形成隧道氧化物膜之后，对所述隧道氧化物膜在一氧化氮或二氧化氮气体中，在900度至1000度的温度下进行退火5-6分钟。

11.根据权利要求10所述的闪存的栅极的制作方法，其特征在于，所述屏蔽氧化物是利用湿氧化或干氧化模式在750度至800度的温度下，形成的50埃至80埃厚度的氧化物膜。

12.根据权利要求8至11中任一项所述的氧化物层的形成方法，其特征在于，所述等离子表面处理是：臭氧(O₃)等离子清洗工艺。

13.根据权利要求8至11中任一项所述的氧化物层的形成方法，其特征在于，所述臭氧(O₃)等离子清洗工艺中的气体为臭氧和氩气的混合气体。

14.根据权利要求8至11中任一项所述的氧化物层的形成方法，其特征在于，所述等离子表面处理是：氧气(O₂)等离子清洗工艺或臭氧加紫外线(UV)清洗工艺。