[发明专利]一种制备沿c轴取向生长的五氧化二钒薄膜的方法

权利要求书

1.一种制备沿c轴取向生长的五氧化二钒薄膜的方法，其特征在于包括以下步骤：

(1)将二乙酰丙酮氧钒与无水乙醇或无水甲醇混合，搅拌，静置使其陈化，得到深红棕色的溶胶，所述的溶胶浓度在0.1-0.7mol/L之间；

(2)以此溶胶为涂覆液，在清洗干净的衬底材料上，采用提拉涂膜法或者旋涂法成膜；

(3)将涂覆有二乙酰丙酮氧钒溶胶的衬底材料，在空气或者氧分压不低于0.1Pa的氮气或氩气等惰性气体中进行热处理。

2.如权利要求1所述的制备沿c轴取向生长的五氧化二钒薄膜的方法，其特征在于步骤(1)所述的溶胶浓度为0.125mol/L。

3.如权利要求1所述的制备沿c轴取向生长的五氧化二钒薄膜的方法，其特征在于步骤(2)中采用的衬底材料为玻璃，在玻璃衬底上先预镀一层二氧化硅阻挡层。

4.如权利要求1或3所述的制备沿c轴取向生长的五氧化二钒薄膜的方法，其特征在于步骤(2)采用浸渍提拉法成膜，提拉速度为1-10厘米/分钟，然后在80℃烘箱中烘干，重复以上的涂膜过程以达到所需厚度。

5.如权利要求1或3所述的制备沿c轴取向生长的五氧化二钒薄膜的方法，其特征在于步骤(2)采用旋转涂膜法成膜，旋转速度为1000～3000转/分钟，得到的湿凝胶放在80℃的烘箱中烘干，重复以上的涂膜过程以达到所需厚度。

6.如权利要求1所述的制备沿c轴取向生长的五氧化二钒薄膜的方法，其特征在于步骤(3)所述的热处理温度为350-550℃，保温时间为30分钟～1小时，自然冷却后得到五氧化二钒薄膜。