[发明专利]拉曼散射基底及具该拉曼散射基底的检测系统有效
申请号: | 200910190213.4 | 申请日: | 2009-09-15 |
公开(公告)号: | CN102023150A | 公开(公告)日: | 2011-04-20 |
发明(设计)人: | 孙颖慧;刘锴;姜开利;苗皎;范守善 | 申请(专利权)人: | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
主分类号: | G01N21/65 | 分类号: | G01N21/65;B82B1/00 |
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地址: | 100084 北京市海淀区清华园1*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 散射 基底 检测 系统 | ||
1.一种拉曼散射基底,其特征在于,其包括一碳纳米管复合膜,该碳纳米管复合膜包括至少一碳纳米管膜及多个金属颗粒,所述碳纳米管膜包括多个均匀分布的碳纳米管,相邻的碳纳米管通过范德华力结合,该多个金属颗粒设置在该多个碳纳米管表面。
2.如权利要求1所述的拉曼散射基底,其特征在于,所述碳纳米管膜为一自支撑结构。
3.如权利要求1所述的拉曼散射基底,其特征在于,所述拉曼散射基底进一步包括一框架,所述碳纳米管复合膜通过该框架至少部分悬空设置。
4.如权利要求3所述的拉曼散射基底,其特征在于,所述碳纳米管复合膜包括多层碳纳米管膜层叠设置。
5.如权利要求3所述的拉曼散射基底,其特征在于,所述碳纳米管膜各向同性,该碳纳米管膜中的多个碳纳米管相互缠绕。
6.如权利要求3所述的拉曼散射基底,其特征在于,所述碳纳米管膜中的多个碳纳米管沿一个方向或多个方向择优取向排列。
7.如权利要求6所述的拉曼散射基底,其特征在于,所述碳纳米管膜中的多个碳纳米管大致相互平行且大致平行于所述碳纳米管膜表面,所述多个碳纳米管通过范德华力首尾相连。
8.如权利要求1所述的拉曼散射基底,其特征在于,所述拉曼散射基底进一步包括一基底,该基底具有一表面,该碳纳米管复合膜覆盖该表面。
9.如权利要求8所述的拉曼散射基底,其特征在于,所述碳纳米管膜中的多个碳纳米管大致垂直于所述碳纳米管膜的表面,相邻的碳纳米管的长度大致相等,且由范德华力结合。
10.如权利要求1所述的拉曼散射基底,其特征在于,每一碳纳米管表面均设置有至少一金属颗粒。
11.如权利要求1所述的拉曼散射基底,其特征在于,相邻两个金属颗粒之间的间隙在1纳米~15纳米之间。
12.如权利要求11所述的拉曼散射基底,其特征在于,相邻两个金属颗粒之间的间隙在1纳米~5纳米之间。
13.如权利要求1所述的拉曼散射基底,其特征在于,所述金属颗粒的粒径在10纳米~50纳米之间。
14.如权利要求1所述的拉曼散射基底,其特征在于,所述金属颗粒的粒径在18纳米~22纳米之间。
15.如权利要求1所述的拉曼散射基底,其特征在于,所述金属颗粒的材料为过渡金属或贵金属。
16.如权利要求1所述的拉曼散射基底,其特征在于,所述金属颗粒为多晶结构的银颗粒,其粒径在18纳米~22纳米之间,相邻两个银颗粒之间的间隙在1纳米~5纳米之间。
17.如权利要求1所述的拉曼散射基底,其特征在于,所述碳纳米管复合膜进一步包括一缓冲层设置在所述金属颗粒与碳纳米管之间。
18.如权利要求17所述的拉曼散射基底,其特征在于,所述缓冲层的材料为氧化物。
19.如权利要求17所述的拉曼散射基底,其特征在于,所述缓冲层的厚度在10纳米~100纳米之间。
20.如权利要求17所述的拉曼散射基底,其特征在于,所述缓冲层的材料为二氧化硅,厚度为18纳米~22纳米。
21.一种拉曼散射基底,其特征在于,其包括一碳纳米管复合膜,所述碳纳米管复合膜包括由两层碳纳米管膜层叠交叉设置形成的一膜状结构,一缓冲层设置在该膜状结构表面,多个金属颗粒设置在该缓冲层背向所述膜状结构的表面,所述碳纳米管膜包括多个碳纳米管相互大致平行且大致平行于所述碳纳米管膜表面,相邻的碳纳米管通过范德华力首尾相连。
22.一种拉曼检测系统,其包括一发射模块、一拉曼散射基底及一接收模块;
所述发射模块用于向所述拉曼散射基底发射一光束;
所述拉曼散射基底用于将所述发射模块发射过来的光束进行散射;
所述接收模块用于收集从所述拉曼散射基底散射的散射光,形成一拉曼光谱特征图;
其特征在于,所述拉曼散射基底包括一碳纳米管复合膜,该碳纳米管复合膜包括至少一碳纳米管膜及多个金属颗粒,所述碳纳米管膜包括多个均匀分布的碳纳米管,相邻的碳纳米管通过范德华力结合,该多个金属颗粒设置在该多个碳纳米管表面。
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