[发明专利]一种检测和限流保护电路有效
申请号: | 200910189045.7 | 申请日: | 2009-12-16 |
公开(公告)号: | CN101783506A | 公开(公告)日: | 2010-07-21 |
发明(设计)人: | 唐建华;是亚明;梁联 | 申请(专利权)人: | 艾默生网络能源有限公司 |
主分类号: | H02H9/02 | 分类号: | H02H9/02 |
代理公司: | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人: | 高占元 |
地址: | 518057 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 检测 限流 保护 电路 | ||
技术领域
本发明涉及电路设计领域,更具体地说,涉及一种电源及配电产品中的检 测和限流保护电路。
背景技术
在电路技术领域,过电流保护电路是一种可以在流经电流过大的情况下对 整个电路进行保护的一种电路。
如图1所示,该图是现有技术中常见的过电流保护的电路原理图,其工作 原理是,通过电流采样电阻R0(也可为分流器)对电流进行采样,将电流值转 换为相应的电压值,由于这个原始的电流采样电压值很小,需要在后面通过一 个放大电路对其进行放大,然后送入比较与保护电路,比较与保护电路将根据 这个信号的幅值做出相应的保护动作。当发生过流或端口短路等极端情况的时 候,流过MOS管S1的电流会很大,需要将MOS管快速关断,才能保证MOS管 S1运行在安全工作区内,保证MOS管S1不会发生损坏。而在图1所示的电路 图中,电流采样放大电路一般由运放构成,比较与保护电路可以是运放,也可 以由DSP、CPLD或单片机来完成,但无论是哪一种情况,从电流采样放大到比 较保护电路做出保护动作,都会存在一定的延时,而在这段延时内足以损害 MOS管S1。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于,针对现有技术的上述过流保护电路存在延 时的缺陷,提供一种反应迅速的检测和限流保护电路。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:构造一种检测和限流保护电 路,用于在电流采样电阻的采样电流过大时关断MOS管,所述检测和限流保护 电路包括第一三极管、第二三极管、第一二极管、第一电容、第一电阻、第二 电阻、第三电阻和第四电阻,其中,第二三极管的发射极接所述MOS管的源极 及所述电流采样电阻的第一端,所述电流采样电阻的第二端接地,所述第二三 极管的基极和集电极都通过第四电阻连接电源;所述第一三极管的基极连接所 述第二三极管的基极,所述第一三极管的发射极通过第一电容接地,所述第一 三极管的集电极连接所述第一二极管的负极,所述第一二极管的正极通过第一 电阻连接MOS管的栅极;所述第二电阻和所述第三电阻串联后,一端接电源, 另一端接地,且所述第二电阻和所述第三电阻的交汇点接所述第一三极管的发 射极。
在本发明所述的检测和限流保护电路中,所述第二电阻的阻值大于所述第 三电阻的阻值。
在本发明所述的检测和限流保护电路中,所述第一三极管和所述第二三极 管为同一封装内的三极管。
在本发明所述的检测和限流保护电路中,还包括第二二极管和第三二极 管,所述第二二极管的正极接所述第一三极管的发射极,所述第二二极管的负 极接所述第二电阻和第三电阻的交汇点;所述第三二极管的正极接所述第二三 极管的发射极,其负极接所述MOS管的源极。
在本发明所述的检测和限流保护电路中,所述第二二极管和所述第三二极 管为同一封装内的二极管。
在本发明所述的检测和限流保护电路中,还包括第四二极管,所述第四二 极管的正极接所述MOS管的栅极,所述第四二极管的负极接所述第一二极管的 正极。
在本发明所述的检测和限流保护电路中,还包括第二电容,所述第二电容 的一端接所述第二三极管的发射极,所述第二电容的另一端接地。
实施本发明的检测和限流保护电路,无需电流采样放大的过程,也无需再 经比较与保护电路根据放大的电流采样来动作,而仅仅围绕两个三极管来构 成,因此,本发明的过电流保护电路反应迅速,而且电路简单,运行可靠性好, 成本低廉。
附图说明
下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明,附图中:
图1是现有技术检测和限流保护的电路原理图;
图2是本发明检测和限流保护电路应用的原理图;
图3是本发明检测和限流保护电路实施例一的电路图;
图4是本发明检测和限流保护电路实施例二的电路图;
图5是本发明检测和限流保护电路实施例三的电路图;
图6是本发明检测和限流保护电路实施例四的电路图。
具体实施方式
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