[发明专利]降低铜化学机械抛光粗糙度的抛光液

权利要求书

1.一种降低铜化学机械抛光粗糙度的抛光液，其特征在于：由研磨颗粒、含氮聚合物、螯合剂、表面活性剂、腐蚀抑制剂、氧化剂及去离子水混合后再用KOH或HNO₃调节pH值至1.0～7.0，各原料的质量百分比为：

研磨颗粒    0.1％～30％

含氮聚合物  0.1％～10％

螯合剂      0.1％～3％

表面活性剂  0.1％～10％

腐蚀抑制剂  0.001％～2％

氧化剂      0.1％～20％

去离子水    小于或等于90％。

2.根据权利要求1所述的降低铜化学机械抛光粗糙度的抛光液，其特征在于：所述研磨颗粒为SiO₂、Al₂O₃或CeO₂的水溶胶颗粒。

3.根据权利要求2所述的降低铜化学机械抛光粗糙度的抛光液，其特征在于：所述研磨颗粒的粒径为20～150nm。

4.根据权利要求1或2或3所述的降低铜化学机械抛光粗糙度的抛光液，其特征在于：所述含氮聚合物为聚乙烯亚胺、聚丙烯酰胺、聚乙烯吡咯烷酮或乙烯吡咯烷酮/乙烯咪唑共聚物中的至少一种。

5.根据权利要求4所述的降低铜化学机械抛光粗糙度的抛光液，其特征在于：所述聚乙烯亚胺的分子量为800-1000000；聚丙烯酰胺的分子量为10000-3000000；聚乙烯吡咯烷酮的分子量为1000-500000；乙烯吡咯烷酮/Z烯咪唑共聚物的分子量为1000-200000。

6.根据权利要求5所述的降低铜化学机械抛光粗糙度的抛光液，其特征在于：所述螯合剂为含氮羧酸或有机膦酸，所述含氮羧酸为乙二胺四乙酸、二亚乙基三胺五乙酸、三亚乙基四胺六乙酸、次氮基三乙酸及其铵盐或钠盐中的至少一种；所述有机膦酸为乙二胺四亚甲基膦酸、氨基三亚甲基膦酸、羟基亚乙基二膦酸、二亚乙基三胺五亚甲基膦酸及其盐中的至少一种。

7.根据权利要求6所述的降低铜化学机械抛光粗糙度的抛光液，其特征在于：所述表面活性剂为阴离子表面活性剂或非离子聚醚表面活性剂。

8.根据权利要求7所述的降低铜化学机械抛光粗糙度的抛光液，其特征在于：所述阴离子表面活性剂为烷基硫酸铵盐、烷基磺酸铵盐或烷基苯磺酸铵盐中的至少一种；所述非离子聚醚表面活性剂为聚氧乙烯聚氧丙烯醚嵌段聚醚、聚氧丙烯聚氧乙烯醚嵌段聚醚、聚乙烯醇与聚苯乙烯嵌段共聚物中的至少一种。

9.根据权利要求8所述的降低铜化学机械抛光粗糙度的抛光液，其特征在于：所述腐蚀抑制剂为三氮唑与噻唑类衍生物中的至少一种，所述三氮唑与噻唑类衍生物是苯并三氮唑、苯并咪唑、甲基苯三唑、吲哚、吲唑、2-巯基苯并噻唑或5-氨基-2-巯基-1，3，4-噻二唑。

10.根据权利要求9所述的降低铜化学机械抛光粗糙度的抛光液，其特征在于：所述氧化剂为过氧化氢、重铬酸钾、碘酸钾、硼酸钾、次氯酸钾、过氧化脲、过氧乙酸或过硫酸铵中的至少一种。