[发明专利]一种用于铁屏蔽式超导磁体的联合优化方法有效
申请号: | 200910186516.9 | 申请日: | 2009-11-16 |
公开(公告)号: | CN101702183A | 公开(公告)日: | 2010-05-05 |
发明(设计)人: | 唐昕;王涛;韩宝辉;张琳 | 申请(专利权)人: | 苏州工业园区朗润科技有限公司 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 范晴 |
地址: | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 屏蔽 超导 磁体 联合 优化 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种超导磁体的设计方法,尤其是一种用于铁屏蔽式超导磁体的联合优化方法。
背景技术
目前常见的磁体类型有永磁型、常导型、超导型。超导型磁体通过超导线材绕制的超导线圈承载的电流产生磁场,采用液氦作为冷却剂。超导磁体与其他磁体类型相比,具有体积小、重量轻、磁场强度高的特点,在核物理、生物工程和医学等研究中日益显示出不可替代的作用。
在场强高达数个特拉斯的超导磁体周围通常会形成较大的逸散磁场,它的危害是对附近的铁磁性物体产生很强的吸引力,对人体健康和仪器设备造成不同程度的干扰、损害和破坏,而降低磁场逸散程度的措施是对磁体采取各种有效的屏蔽。目前对逸散磁场的屏蔽方式有主动屏蔽和被动屏蔽两种,前者主要使用反向超导线圈进行屏蔽,后者使用铁屏进行屏蔽。与主动屏蔽相比,被动屏蔽不但无需附加超导线圈,而且铁屏能在一定程度上增大主磁场的强度,可以节省30%以上的超导线材用量,除此之外,还可减小线圈周围最大场强,缓解线圈受力,降低工程实施难度。
铁屏蔽式超导磁体设计中,由于铁磁材料的非线性,无法用解析方法精确求解磁场分布。A.Ishiyama等将求解区域划分为有限元区和边界元区,用两种数值方法分别计算(A.Ishiyama,S.Kanda.Shape Optimization Of IronShield For Superconducting Solenoid Magnets.IEEE Trans On Magnetics,1987,23:599-602),在此基础上使用了数学规划法、目标规划法和非线性最小二乘法进行优化设计,但这些方法无法将线圈和铁屏结构同时作为优化变量进行优化。S.Noguchi等引入了全局搜索算法-模拟退火算法,将铁屏分解等效为无数个电流环,考虑了铁磁材料的非线性(S.Noguchi,A.Ishiyama.An Optimal Design Method for High-Field Superconducting Magnets withFerromagnetic Shields.IEEE Trans on applied superconductivity,1997,7:439-442),但也没有将铁屏结构纳入优化变量。Huawei Zhao等将铁屏分解为无数个独立磁环,推导了任意磁环在主线圈产生的磁场激励下的场展开式(Huawei Zhao,Stuart Crozier.Rapid field calculations for the effect offerromagnetic material in MRI magnet design.Meas.Sci.Technol,2002,13:198-205),但没有考虑周围磁环被磁化后的相互作用,计算结果不够准确。
同时,在超导磁体的设计中,传统的设计方法通常以磁场强度、磁场均匀度和逸散场范围等指标来衡量其性能,而没有考虑超导线材的成本问题,使得生产成本较高。
发明内容
本发明目的是:提供一种用于铁屏蔽式超导磁体的联合优化方法,性能指标考虑全面,优化过程合理,结果全局最优,使得超导磁体的结构更合理,屏蔽效果更好,生产成本更低。
本发明的技术方案是:一种用于铁屏蔽式超导磁体的联合优化方法,以磁场强度、磁场均匀度、逸散场范围、超导线材用量、磁体重量为性能衡量指标,采用有限元与模拟退火算法相结合的联合优化方法进行设计,以公差分析法对设计结果进行分析,具体流程如下:
1)设置初始条件,包括主线圈个数、目标磁场强度、均匀区直径、超导线材类型及截面尺寸、工作电流强度、铁屏材料类型和公差分析目标。
2)设置约束条件,包括磁体长度、磁体重量、磁体内径。
3)设置离散化的优化变量,包括主线圈变量和铁屏变量,其中主线圈变量包括每个线圈的单层匝数、绕线层数、内径和空间位置;铁屏变量包括端面铁屏的厚度和长度、侧面铁屏的厚度以及二者的空间位置。
4)定义目标函数
f=k1·(B0-Bobj)+k2·Ppm+k3·D+k4·L+k5·T
其中B0为均匀区内磁场强度平均值,通过有限元法和数据插值法可以求出;
Bobj为均匀区内目标磁场强度;
Ppm为均匀区内的磁场均匀度;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州工业园区朗润科技有限公司,未经苏州工业园区朗润科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910186516.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:变流器
- 下一篇:用于汽车上的儿童乘座的识别装置